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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體結構的制作方法及其結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116981245B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210388289.3，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權一種半導體結構的制作方法及其結構是由吳玉雷設計研發完成，并于2022-04-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體結構的制作方法及其結構在說明書摘要公布了：本公開實施例涉及半導體領域，提供一種半導體結構的制作方法及其結構，其中，半導體結構的制作方法可以包括：提供基底，基底包括沿第一方向延伸的字線及沿第二方向延伸的有源區；在基底上形成初始掩膜；在初始掩膜層上形成多個間隔排布的第一圖形層，第一圖形層沿第三方向延伸；以第一圖形層為掩膜，圖形化初始掩膜；在圖形化后的初始掩膜上形成多個間隔排布的第二圖形層，第二圖形層沿第四方向延伸；以第二圖形層為掩膜，圖形化初始掩膜，形成掩膜層；以掩膜層為掩膜，圖形化所述基底，在所述基底的有源區中形成位線接觸圖案。至少可以降低形成位線接觸圖案的形成難度。

本發明授權一種半導體結構的制作方法及其結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括沿第一方向延伸的字線及沿第二方向延伸的有源區，所述第一方向與所述第二方向不同； 在所述基底上形成初始掩膜； 在所述初始掩膜上形成多個間隔排布的第一圖形層，所述第一圖形層沿第三方向延伸； 以所述第一圖形層為掩膜，圖形化所述初始掩膜； 在圖形化后的所述初始掩膜上形成多個間隔排布的第二圖形層，所述第二圖形層沿第四方向延伸，所述第三方向與所述第四方向不同；以所述第二圖形層為掩膜，圖形化所述初始掩膜，形成掩膜層； 以所述掩膜層為掩膜，圖形化所述基底，在所述基底的所述有源區中形成位線接觸圖案； 所述第一方向與所述第二方向之間的夾角為第一夾角，所述第三方向與所述第四方向之間的夾角為第二夾角，且所述第一夾角與所述第二夾角滿足其中，α為所述第一夾角，β為所述第二夾角。

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