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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第五十五研究所申請的專利抗單粒子輻照的SiC MOSFET器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115148821B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210835540.6，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權抗單粒子輻照的SiC MOSFET器件及其制造方法是由張騰;黃潤華;楊曉磊;李士顏;柏松設計研發完成，并于2022-07-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本抗單粒子輻照的SiC MOSFET器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了抗單粒子輻照的SiCMOSFET器件及其制造方法，該器件在第一導電類型漂移區上依次采用第二導電類型外延，JFET區溝槽刻蝕，外延第一導電類型SiC的方式，利用深第二導電類型阱區形成器件近表面的半超結結構，在保證器件反向耐壓的同時提高JFET區第一導電類型摻雜濃度，降低JFET區電阻。JFET區上方設置額外的加厚氧化層，降低單粒子輻照時柵介質區域的電場強度。同時第二導電類型外延區在指向漂移區的方向上摻雜濃度呈梯度緩慢降低，這一結構能同時提高器件的抗單粒子燒毀能力和抗單粒子柵穿能力，并使器件的靜態電學特性有所提升。該結構可與外延緩沖層、局部SOI等輻照加固手段復合使用，進一步提升抗輻照能力。

本發明授權抗單粒子輻照的SiC MOSFET器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種抗單粒子輻照的SiCMOSFET器件，其特征在于，采用多原胞結構，原胞包括： 第一導電類型重摻雜襯底區； 位于所述第一導電類型重摻雜襯底區背面的漏電極； 位于所述第一導電類型重摻雜襯底區上方的第一導電類型輕摻雜漂移區； 位于所述第一導電類型輕摻雜漂移區上方的第二導電類型緩變區； 位于所述第二導電類型緩變區上方的第二導電類型阱區； 位于相鄰2個所述第二導電類型阱區緩變區中間的第一導電類型重摻雜JFET區； 位于所述第二導電類型阱區內部，靠近半導體表面的第一導電類型重摻雜源區； 位于部分所述第一導電類型重摻雜JFET區上方的絕緣介質層； 位于部分所述第二導電類型阱區和部分所述第一導電類型重摻雜源區上方的柵介質層； 位于所述柵介質層上方的柵電極； 位于部分所述柵介質層、所述柵電極和部分所述第一導電類型重摻雜源區上方的鈍化保護層； 位于所述鈍化保護層和部分所述第一導電類型重摻雜源區、部分所述第二導電類型阱區上方的源電極； 所述第二導電類型緩變區的摻雜濃度大致呈垂直方向的單調變化，其上部接近器件表面的區域摻雜濃度高，其底部靠近第一導電類型輕摻雜漂移區的摻雜濃度低，且其底部摻雜濃度與所述第一導電類型輕摻雜漂移區的摻雜濃度接近。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第五十五研究所，其通訊地址為：210016 江蘇省南京市秦淮區中山東路524號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。