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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第五十五研究所申請的專利一種片內微流GaN HEMT功率器件冷卻集成組件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115528108B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211209682.8，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種片內微流GaN HEMT功率器件冷卻集成組件及其制備方法是由郭懷新;王瑞澤;戴家赟;潘斌;鐘世昌設計研發完成，并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種片內微流GaN HEMT功率器件冷卻集成組件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種片內微流GaNHEMT功率器件冷卻集成組件，包括集成互連介質和微流驅動模塊，微流驅動模塊上設有對準下凹區域，片內微流GaNHEMT功率器件放置在對準下凹區域內；集成互連介質位于片內微流GaNHEMT功率器件的下方，并設于對準下凹區域內；制備中，還包括設于片內微流GaNHEMT功率器件上方的上吸保護壓力板，制備后，拆除上吸保護壓力板。本發明的制備方法中引入上吸保護壓力板、互連介質設計和工藝控制，實現片內微流GaNHMET功率器件與微流驅動模塊的高質量集成互連。本發明能解決集成過程中界面質量差、集成界面漏液的問題，提高封接可靠性，提升GaN微波器件的大功率特性。

本發明授權一種片內微流GaN HEMT功率器件冷卻集成組件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種片內微流GaNHEMT功率器件冷卻集成組件，其特征在于，包括集成互連介質（c）和微流驅動模塊（d），所述微流驅動模塊（d）上設有對準下凹區域（d1），片內微流GaNHEMT功率器件（b）放置在對準下凹區域（d1）內；所述集成互連介質（c）位于片內微流GaNHEMT功率器件（b）的下方，并設于對準下凹區域（d1）內；制備過程中，還包括設于片內微流GaNHEMT功率器件（b）上方的上吸保護壓力板（a）,制備結束后，拆除上吸保護壓力板（a）； 所述上吸保護壓力板（a）上設有內腔體（a1）和真空抽氣嘴（a2），片內微流GaNHEMT功率器件（b）的有源區（b1）設于內腔體（a1）內，所述內腔體（a1）與有源區（b1）形成的空腔與真空抽氣嘴（a2）連通； 所述集成互連介質（c）上設有第一引流道（c1），微流驅動模塊（d）中設有第二引流道（d2），所述第一引流道（c1）、第二引流道（d2）分別與片內微流GaNHEMT功率器件（b）上的第三引流道（b2）連通； 所述上吸保護壓力板（a）的外圍長寬尺寸與片內微流GaNHEMT功率器件（b）的長寬尺寸相同，上吸保護壓力板（a）的一側設有真空抽氣嘴（a2），真空抽氣嘴（a2）與內腔體（a1）連通； 所述內腔體（a1）的長寬尺寸與有源區（b1）的長寬尺寸相同，內腔體（a1）的深度范圍為200um-300um； 所述對準下凹區域（d1）的長寬尺寸與片內微流GaNHEMT功率器件（b）集成區的長寬尺寸相同；對準下凹區域（d1）深度h1范圍為50um-250um，且h1-h2≥20um，其中，h2為片內微流GaNHEMT功率器件（b）的厚度； 所述集成互連介質（c）的長寬尺寸與對準下凹區域（d1）的長寬尺寸相同，集成互連介質（c）的厚度范圍為10um-30um； 所述第一引流道（c1）的截面尺寸與對準下凹區域（d1）底平面上第二引流道（d2）的截面尺寸相同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第五十五研究所，其通訊地址為：210016 江蘇省南京市秦淮區中山東路524號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。