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          鵬城半導體技術(深圳)有限公司吳向方獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉鵬城半導體技術(深圳)有限公司申請的專利一種立式雙室熱絲CVD系統及其使用方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115896746B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211432334.7,技術領域涉及:C23C16/44;該發明授權一種立式雙室熱絲CVD系統及其使用方法是由吳向方;梁玉生;孔祥鵬;吳煦;梁家祿;蔡豫設計研發完成,并于2022-11-16向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種立式雙室熱絲CVD系統及其使用方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種立式雙室熱絲CVD系統及其使用方法,涉及化學沉積鍍膜設備技術領域,進樣室具有預處理腔。工藝室具有工藝腔,工藝腔與預處理腔相連通。若干個傳動輥設置于預處理腔和工藝腔底部。插板閥用于插設于進樣室靠近工藝室的一側,將預處理腔和工藝腔隔離開。還用于拔出插板閥時,將預處理腔和工藝腔之間連通。樣品車位于傳動輥上,且沿著傳動輥在預處理腔和工藝腔之間移動;樣品車具有安裝腔,安裝腔用于安裝基片。熱絲用于在樣品車移動至工藝腔內時,位于安裝腔內,且基片位于熱絲的一側或者兩側。進氣管路設置于工藝腔頂部,進氣管路用于通入混合氣體。抽氣系統用于抽真空,與預處理腔和工藝腔底部相連通。本發明用于基片鍍膜。

          本發明授權一種立式雙室熱絲CVD系統及其使用方法在權利要求書中公布了:1.一種立式雙室熱絲CVD系統,用于基片鍍膜,其特征在于,所述立式雙室熱絲CVD系統包括: 進樣室,具有預處理腔; 工藝室,具有工藝腔,所述工藝腔與所述預處理腔相連通; 若干個傳動輥,設置于所述預處理腔和工藝腔底部; 插板閥,用于插設于所述進樣室靠近所述工藝室的一側,將所述預處理腔和所述工藝腔隔離開;還用于拔出所述插板閥時,將所述預處理腔和所述工藝腔之間連通; 樣品車,位于所述傳動輥上,且沿著所述傳動輥在所述預處理腔和所述工藝腔之間移動;所述樣品車具有安裝腔,所述安裝腔具有兩個平行設置相對的安裝面,所述安裝面用于安裝基片; 若干個等間距設置且位于同一平面的熱絲,設置于所述工藝腔內,所述熱絲用于在所述樣品車移動至所述工藝腔內時,位于所述安裝腔內,且所述基片位于所述熱絲的一側或者兩側; 所述插板閥包括: 外殼,位于所述進樣室的上部,且與所述進樣室的頂壁垂直相連; 兩個平行設置的連接板,一部分伸入至預處理腔的前后相對的兩個側壁,且與所述預處理腔相連,另一部分深入至所述外殼內與所述外殼的側壁相連; 兩個冷水板,垂直設置于所述兩個連接板之間,且與所述連接板滑動相連,所述冷水板內具有冷水腔,所述冷水腔內通入冷卻液; 氣缸,具有氣缸桿,所述氣缸桿與所述兩個冷水板的內壁鉸接,所述氣缸用于將所述兩個冷水板推入至所述預處理腔內,使得冷水板抵接于所述工藝腔靠近所述預處理腔的一側實現密封;所述氣缸還用于將所述兩個冷水板拉出所述外殼內,從而實現預處理腔和所述工藝腔之間的連通; 所述進樣室和工藝室的側壁均具有間隙夾層,所述立式雙室熱絲CVD系統還包括: 水冷系統,包括冷卻水箱和水管,其中,所述水管與所述冷卻水箱相連通,所述水管的進口與所述進樣室和所述工藝室的底部的間隙夾層,以及水冷板相連通;所述水管的出口與所述進樣室和所述工藝室的頂部的間隙夾層,以及水冷板相連通。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人鵬城半導體技術(深圳)有限公司,其通訊地址為:518000 廣東省深圳市光明區玉塘街道田寮社區光僑路高科創新中心三層339;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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