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龍圖騰網獲悉上海積塔半導體有限公司申請的專利半導體測試結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115842007B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211480044.X，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權半導體測試結構是由劉倩倩;宋永梁設計研發完成，并于2022-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體測試結構在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體測試結構。半導體測試結構包括：依次首尾連接為環形閉路的第一測試線路、第二測試線路、第三測試線路及第四測試線路；多個二極管，分別連接于相鄰測試線路之間；第一測試陣列和第二測試陣列，第一測試陣列和第二測試陣列均包括多個沿第一方向間隔排布的測試單元；測試單元均包括多層間隔排布的金屬層、介電層和導電插塞。本申請的半導體測試結構，通過設置第一測試陣列、第二測試陣列，并增設二極管，可以同時探測相鄰兩根平行金屬層對應的導電插塞之間介電層的可靠性問題以及位于金屬層末端的導電插塞與第二方向上相鄰的金屬層之間的介電層的可靠性。

本發明授權半導體測試結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體測試結構，其特征在于，包括： 依次首尾連接為環形閉路的第一測試線路、第二測試線路、第三測試線路及第四測試線路； 多個二極管，分別連接于相鄰所述測試線路之間； 第一測試陣列和第二測試陣列，所述第一測試陣列和所述第二測試陣列均包括多個沿第一方向間隔排布的測試單元；所述測試單元均包括多層間隔排布的金屬層、介電層和導電插塞結構，所述介電層位于相鄰所述金屬層之間，所述導電插塞結構包括由下至上疊層的多個導電插塞，位于介電層內，且將相鄰所述金屬層電連接；所述第一測試陣列中，位于奇數列的所述測試單元與所述第二測試線路相連接，位于偶數列的所述測試單元與所述第三測試線路相連接；所述第二測試陣列中，位于奇數列的所述測試單元與所述第四測試線路相連接，位于偶數列的所述測試單元與所述第一測試線路相連接；所述第一測試陣列與所述第二測試陣列沿第二方向間隔排布，所述第二方向與所述第一方向相交； 多個所述二極管包括第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管； 所述第一測試線路包括第一測試焊盤和第二測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述第二測試焊盤相連接；所述第二測試陣列中，位于偶數列的所述測試單元連接于所述第一測試焊盤與所述第二測試焊盤之間； 所述第二測試線路包括第三測試焊盤和第四測試焊盤，所述第三測試焊盤與所述第四測試焊盤相連接；所述第一二極管的正極與所述第一測試焊盤相連接，所述第一二極管的負極與所述第三測試焊盤相連接；所述第一測試陣列中，位于奇數列的所述測試單元連接于所述第三測試焊盤與所述第四測試焊盤之間； 所述第三測試線路包括第五測試焊盤和第六測試焊盤，所述第五測試焊盤與所述第六測試焊盤相連接；所述第三二極管的正極與所述第六測試焊盤相連接，所述第三二極管的負極與所述第四測試焊盤相連接；所述第一測試陣列中，位于偶數列的所述測試單元連接于所述第五測試焊盤與所述第六測試焊盤之間； 所述第四測試線路包括第七測試焊盤和第八測試焊盤，所述第七測試焊盤與所述第八測試焊盤相連接；所述第二二極管的正極與所述第七測試焊盤相連接，所述第二二極管的負極與所述第五測試焊盤相連接；所述第四二極管的正極與所述第八測試焊盤相連接，所述第四二極管的負極與所述第二測試焊盤相連接；所述第二測試陣列中，位于奇數列的所述測試單元連接于所述第七測試焊盤與所述第八測試焊盤之間； 所述第一測試陣列中的所述測試單元的數量與所述第二測試陣列中的所述測試單元的數量相同，且一一對應設置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海積塔半導體有限公司，其通訊地址為：200135 上海市浦東新區云水路600號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。