天津三安光電有限公司辛秀峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天津三安光電有限公司申請的專利光電二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116130528B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211533423.0，技術領域涉及：H10F77/12；該發明授權光電二極管及其制備方法是由辛秀峰;宋明輝;王園園;趙宏偉;陳文浚設計研發完成，并于2022-12-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本光電二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體電子器件技術領域，提供一種光電二極管及其制備方法。光電二極管至少包括：襯底，具有相對的第一表面和第二表面；器件層，設于第一表面與第二表面之間，依次包括鄰近第一表面的N型摻雜區、非摻雜的本征層I層和鄰近第二表面的P型摻雜區；截止環，圍繞襯底上端的外周設置且與P型摻雜區為間隔設置，截止環的上表面與第二表面位于同一平面內；光敏區，位于器件層的上表面上方，且至少位于P型摻雜區的上方；氧化環，設于光敏區的外周區域，與第二表面之間設有氧化層；其中，P型摻雜區包括相鄰設置的深摻雜區和淺摻雜區，深摻雜區和淺摻雜區位于光敏區。采用這種結構設置的光電二極管，可提升光電二極管的短波響應能力。
本發明授權光電二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光電二極管，包括： 襯底，具有相對的第一表面和第二表面； 器件層，設于所述第一表面與所述第二表面之間，依次包括鄰近所述第一表面的N型摻雜區、非摻雜的本征層和鄰近所述第二表面的P型摻雜區； 截止環，圍繞所述襯底上端的外周設置且與所述P型摻雜區為間隔設置，所述截止環的上表面與所述第二表面位于同一平面內； 光敏區，位于所述器件層的上表面上方，且至少位于所述P型摻雜區的上方； 氧化環，設于所述光敏區的外周區域，所述氧化環與所述第二表面之間設有氧化層； 其中，所述P型摻雜區包括相鄰設置的深摻雜區和淺摻雜區，所述深摻雜區和所述淺摻雜區位于所述光敏區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津三安光電有限公司，其通訊地址為：300384 天津市西青區華苑產業區海泰南道20號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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