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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請的專利UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115732566B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211560761.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權(quán)UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法是由馬永健;唐文博;查強;張曉東;張寶順設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法。所述β?Ga2O3UMOSFET器件包括外延結(jié)構(gòu)以及與所述外延結(jié)構(gòu)配合的源極、漏極和柵極，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的N型氧化鎵漂移層、電流阻擋層和第一N型氧化鎵外延層，并且，所述外延結(jié)構(gòu)內(nèi)還設(shè)置有槽狀結(jié)構(gòu)，所述槽狀結(jié)構(gòu)的槽口設(shè)置在第一N型氧化鎵外延層的表面、槽底設(shè)置在所述N型氧化鎵漂移層內(nèi)；以及，第二N型氧化鎵外延層，其連續(xù)覆設(shè)在所述槽狀結(jié)構(gòu)的槽壁上。本發(fā)明提供的一種垂直型β?Ga2O3UMOSFET器件的飽和電流密度更高，柵源泄漏電流更小，且可在高電壓下工作。

本發(fā)明授權(quán)UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種β-Ga2O3UMOSFET器件，包括外延結(jié)構(gòu)以及與所述外延結(jié)構(gòu)配合的源極、漏極和柵極，其特征在于： 所述外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的N型氧化鎵漂移層、電流阻擋層和第一N型氧化鎵外延層，并且，所述外延結(jié)構(gòu)內(nèi)還設(shè)置有槽狀結(jié)構(gòu)，所述槽狀結(jié)構(gòu)的槽口設(shè)置在第一N型氧化鎵外延層的表面、槽底設(shè)置在所述N型氧化鎵漂移層內(nèi)；以及，第二N型氧化鎵外延層，其連續(xù)覆設(shè)在所述槽狀結(jié)構(gòu)的槽壁上，所述β-Ga2O3UMOSFET器件的導(dǎo)電通道位于所述第二N型氧化鎵外延層內(nèi)，所述電流阻擋層是由所述N型氧化鎵漂移層的表層區(qū)域被注入補償受主材料后轉(zhuǎn)化形成的高阻區(qū)； 至少所述柵極的部分設(shè)置在所述槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，且所述柵極與所述第二N型氧化鎵外延層被介質(zhì)層隔離，所述源極與所述第一N型氧化鎵外延層電性結(jié)合。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨墅湖高教區(qū)若水路398號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。