天津大學杜伯學獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天津大學申請的專利高壓交流擠包絕緣電纜電場分布的計算方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116257897B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211592502.9，技術領域涉及：G06F30/10；該發明授權高壓交流擠包絕緣電纜電場分布的計算方法及系統是由杜伯學;吳優;李忠磊設計研發完成，并于2022-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本高壓交流擠包絕緣電纜電場分布的計算方法及系統在說明書摘要公布了：本發明涉及一種高壓交流擠包絕緣電纜電場分布的計算方法及系統，屬于電氣工程技術領域，先構建高壓交流擠包絕緣電纜的絕緣層的非均質結構幾何模型，再分別構建絕緣層的晶區的第一分子結構模型和絕緣層的無定形區的第二分子結構模型，基于第一分子結構模型進行分子動力學模擬計算，得到晶區的介電參數，基于第二分子結構模型進行分子動力學模擬計算，得到無定形區的介電參數，最后將非均質結構幾何模型、晶區的介電參數和無定形區的介電參數導入仿真軟件進行仿真計算，得到絕緣層的電場分布結果，從而在考慮絕緣層內部非均質結構的基礎上進行電場的分布計算，能夠得到更加全面、準確的電場分布結果。
本發明授權高壓交流擠包絕緣電纜電場分布的計算方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種高壓交流擠包絕緣電纜電場分布的計算方法，其特征在于，所述計算方法包括： 構建高壓交流擠包絕緣電纜的絕緣層的非均質結構幾何模型； 分別構建所述絕緣層的晶區的第一分子結構模型和所述絕緣層的無定形區的第二分子結構模型；基于所述第一分子結構模型進行分子動力學模擬計算，得到所述晶區的介電參數；基于所述第二分子結構模型進行分子動力學模擬計算，得到所述無定形區的介電參數； 將所述非均質結構幾何模型、所述晶區的介電參數和所述無定形區的介電參數導入仿真軟件進行仿真計算，得到所述絕緣層的電場分布結果。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津大學，其通訊地址為：300072 天津市南開區衛津路92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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