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龍圖騰網獲悉南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司申請的專利一種AlN薄膜保護硅襯底Micro-LED陣列鍵合轉移的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116207190B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211619675.5，技術領域涉及：H10H29/03；該發明授權一種AlN薄膜保護硅襯底Micro-LED陣列鍵合轉移的方法是由王立;彭如意;李新華;蔣愷;陳芳;黃超;謝欣宇;胡民偉設計研發完成，并于2022-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種AlN薄膜保護硅襯底Micro-LED陣列鍵合轉移的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種AlN薄膜保護硅襯底Micro?LED陣列鍵合轉移的方法，所述Micro?LED陣列表面有一層保護層AlN薄膜，在Micro?LED陣列與驅動基板鍵合轉移以及去除硅襯底的過程中，保護驅動基板不被破壞。本發明具有如下特點：1、AlN薄膜能起到很好的選擇保護的效果；2、作為保護層的AlN薄膜能完全填充Micro?LED陣列之間的間隙，能最大程度上實現對驅動基板表面的鍵合金屬層及金屬焊盤的保護，在干法刻蝕去除硅襯底的過程中可以很好地避免和減少刻蝕產物的附著積累，從而為后續Micro?LED多次鍵合轉移提供一個比較干凈的鍵合金屬表面；3、由于對驅動基板未邦定的區域具有很好的選擇保護效果，如果在Micro?LED陣列上留有足夠的間隙，允許進行多次鍵合，從而能制備雙色甚至多色全彩的器件。

本發明授權一種AlN薄膜保護硅襯底Micro-LED陣列鍵合轉移的方法在權利要求書中公布了：1.一種AlN薄膜保護硅襯底Micro-LED陣列鍵合轉移的方法，其特征在于：包括以下步驟： 1在硅襯底上制備由若干個Micro-LED構成的GaN基Micro-LED陣列，其中相鄰兩個Micro-LED之間的GaN層被完全刻穿，直至暴露硅襯底； 2在制備好的Micro-LED陣列上生長一層AlN薄膜，且AlN薄膜須覆蓋Micro-LED陣列之間的溝槽； 3通過光刻及刻蝕工藝去除Micro-LED的N型金屬電極層和P型金屬電極層表面的AlN薄膜，將N型金屬電極層和P型金屬電極層的表面暴露出來； 4將Micro-LED陣列鍵合轉移到驅動基板上； 4.1在步驟4）鍵合轉移后的器件表面再長第二層AlN薄膜； 4.2通過機械減薄的方法將硅襯底減薄至80μm以下； 5通過電感耦合等離子體設備干法刻蝕去除硅襯底。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司，其通訊地址為：330031 江西省南昌市紅谷灘區學府大道999號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。