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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京大學(xué)東莞光電研究院申請的專利一種金剛石上薄層器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115831746B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211630556.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)一種金剛石上薄層器件及其制備方法是由王琦;王新強(qiáng);梁智文;張國義設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種金剛石上薄層器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種金剛石上薄層器件及其制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長薄層器件外延結(jié)構(gòu)；利用離子注入形成離子掩埋層；進(jìn)行源電極和漏電極制作；進(jìn)行柵電極制作；淀積氮化硅介質(zhì)層；沉積金剛石材料層，加熱過程中，外延材料從離子掩埋層中分離開，形成金剛石氮化鎵薄層器件；利用激光方法在源漏柵區(qū)進(jìn)行開窗口，用于電路引線，形成正裝結(jié)構(gòu)、正向引線的氮化鎵薄層器件。本發(fā)明精確控制剝離氮化物外延層器件的厚度，實現(xiàn)薄層器件直接轉(zhuǎn)移器件到金剛石材料上，利用金剛石材料直接生長與結(jié)合離子注入分離傳統(tǒng)襯底，解決現(xiàn)在薄層氮化鎵材料或者器件與金剛石材料結(jié)合技術(shù)路線中應(yīng)力大、剝離精度不高、不合適量產(chǎn)、散熱不好的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種金剛石上薄層器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種金剛石上薄層器件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： 1利用PVD方法在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為30nm的AlN外延成核層； 2利用MOCVD方法在AlN成核層上外延生長厚度為200nm的GaN溝道層； 3利用MOCVD方法在GaN溝道層上外延生長厚度為25nm的AlGaN勢壘層； 4利用離子注入工藝在GaN溝道層注入氫離子或者氦離子，形成離子掩埋層，離子掩埋層位于氮化鎵溝道層中，且距離AlGaN勢壘層為160nm； 5在AlGaN勢壘層上進(jìn)行光刻，曝光出歐姆接觸的源漏級圖形，并進(jìn)行Ti、Al、Ni、Au電子束蒸發(fā)，經(jīng)過去膠剝離和退火，形成器件的源電極和漏電極； 6在AlGaN勢壘層上進(jìn)行光刻，曝光肖特基柵極的圖形，用電子束蒸發(fā)Ni、Au，經(jīng)過去膠剝離，形成器件的柵電極； 7利用PEVCD方法在源極、柵極、漏極和AlGaN勢壘層上淀積一層厚度為10nm的氮化硅介質(zhì)層； 8利用MPCVD設(shè)備在氮化硅介質(zhì)層上沉積一層厚度為120μm的金剛石材料層，加熱過程中，離子掩埋層中的離子因加熱而變成氣體，從而把外延材料從離子掩埋層中分離開，形成金剛石氮化鎵薄層器件； 9利用激光方法在源漏柵區(qū)進(jìn)行開窗口，用于電路引線，形成正裝結(jié)構(gòu)、正向引線的氮化鎵薄層器件。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京大學(xué)東莞光電研究院，其通訊地址為：523000 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)沁園路17號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。