山東大學王守志獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東大學申請的專利一種氮化鎵/金屬氧化物復合電極材料及制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116230413B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211660156.3，技術領域涉及：H01G11/30；該發明授權一種氮化鎵/金屬氧化物復合電極材料及制備方法和應用是由王守志;呂松陽;張雷;王國棟;謝雪健;徐現剛設計研發完成，并于2022-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化鎵/金屬氧化物復合電極材料及制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體器件技術領域，涉及一種氮化鎵金屬氧化物復合材料及制備方法和應用。本發明首先將GaN單晶晶片進行腐蝕，得到多孔GaN單晶薄膜；然后將所述單晶薄膜浸泡于金屬鹽水溶液中，經水熱反應、燒結得到氮化鎵金屬氧化物復合電極材料；將電極材料與導電劑、粘結劑混合研磨，加入N?甲基吡咯烷酮制得漿料，再將漿料涂覆在集流體上，即得用于組裝超級電容器的工作電極。本發明的氮化鎵金屬氧化物復合電極材料具有較大的比表面積和豐富的活性位點，有利于在化學儲能過程中促進電解液的吸附和充分反應，并減少電極材料在大電流沖擊下的體積膨脹和材料結構的坍塌；所得超級電容器具有較大的能量密度、可觀的比容量和優異的倍率性能且具有超長的循環壽命。
本發明授權一種氮化鎵/金屬氧化物復合電極材料及制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵金屬氧化物復合電極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 1將GaN單晶晶片進行電化學腐蝕，制備多孔GaN單晶薄膜； 2將金屬鹽和尿素溶于去離子水中，得到混合溶液A； 3將步驟1的所述多孔GaN單晶薄膜置于步驟2所述的混合溶液A中，然后轉入恒溫箱中進行水熱反應，將反應后的多孔GaN單晶薄膜取出，分別用去離子水和乙醇超聲清洗30分鐘，再置于50-80℃的恒溫干燥箱中干燥12-24小時，得到氮化鎵金屬氧化物復合材料前驅體； 4將所述步驟3中干燥后的前驅體置入管式爐中，通入惰性氣體，以10℃min的升溫速率將溫度由室溫升至300-500℃，然后恒溫0.5-3h進行燒結，最后自然降溫至室溫，得到氮化鎵金屬氧化物復合電極材料； 所述步驟1中的GaN單晶晶片為金屬有機化合物氣相沉積法生長得到的GaN單晶晶片，所述氮化鎵的厚度為2μm，藍寶石襯底為500μm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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