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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116017975B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211732029.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)一種半導體器件及其制造方法是由曹文康設計研發(fā)完成，并于2022-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導體器件及其制造方法，該半導體器件的電容結(jié)構(gòu)包括下電極、與下電極相對的上電極和環(huán)繞下電極和上電極的柵介質(zhì)。其中，電容結(jié)構(gòu)位于經(jīng)過至少兩次刻蝕得到的溝槽內(nèi)，溝槽包括具有第一寬度的溝槽上部和具有第二寬度的溝槽下部，第一寬度小于第一寬度；下電極位于溝槽下部；上電極位于溝槽上部。如此，一方面通過多次刻蝕使下電極的寬度減小，還通過縮小溝槽上部寬度的方式，使溝槽與源區(qū)以上下疊加的方式共用同一垂直空間，進一步減小溝槽和源區(qū)的寬度和，使本申請半導體實施例的單元面積更小。

本發(fā)明授權(quán)一種半導體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體器件，所述半導體器件包括電容結(jié)構(gòu)，所述電容結(jié)構(gòu)包括下電極、與下電極相對的上電極和環(huán)繞所述下電極和上電極的柵介質(zhì)，其特征在于：所述電容結(jié)構(gòu)位于經(jīng)過至少兩次刻蝕得到的溝槽內(nèi)，所述溝槽包括具有第一寬度的溝槽上部和具有第二寬度的溝槽下部，所述第一寬度小于所述第二寬度；所述下電極位于所述溝槽下部；所述上電極位于所述溝槽上部； 所述下電極的寬度為所述溝槽下部的高度的110。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人杭州富芯半導體有限公司，其通訊地址為：310051 浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1301；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。