中天科技光纖有限公司;江東科技有限公司;江蘇中天科技股份有限公司丁春來獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中天科技光纖有限公司;江東科技有限公司;江蘇中天科技股份有限公司申請的專利大芯徑光纖及其成型方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116184561B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310082467.4,技術領域涉及:G02B6/02;該發明授權大芯徑光纖及其成型方法是由丁春來;朱錢生;油光磊;徐海濤;王震;郭雨凡設計研發完成,并于2023-01-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本大芯徑光纖及其成型方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種大芯徑光纖及其成型方法,其涉及特種光纖技術領域,大芯徑光纖包括:芯層;包覆在芯層外的由含有氟的二氧化硅制成的包裹層;包覆在包裹層外的保護層;包裹層包括第一輔助緩沖層段、下陷層段、第二輔助緩沖層段和外包層段,第一輔助緩沖層段、下陷層段、第二輔助緩沖層段和外包層段由大芯徑光纖的中心向外側方向依次排列;外包層段為純二氧化硅制成,第一輔助緩沖層段的相對折射率差為a,下陷層段的相對折射率差為b,第二輔助緩沖層段的相對折射率差為c,外包層段的相對折射率差為d,其中,d大于c,c大于b,b小于a,a小于d。本申請能夠解決石英光纖直徑越大,材質越脆,越易形成內部缺陷的問題。
本發明授權大芯徑光纖及其成型方法在權利要求書中公布了:1.一種大芯徑光纖的成型方法,其特征在于,所述大芯徑光纖包括: 芯層;包覆在所述芯層外的由含有氟的二氧化硅制成的包裹層;包覆在所述包裹層外的保護層; 所述包裹層包括第一輔助緩沖層段、下陷層段、第二輔助緩沖層段和外包層段,所述第一輔助緩沖層段、所述下陷層段、所述第二輔助緩沖層段和所述外包層段由所述大芯徑光纖的中心向外側方向依次排列;所述外包層段為純二氧化硅制成; 所述第一輔助緩沖層段的相對折射率差為a,所述下陷層段的相對折射率差為b,所述第二輔助緩沖層段的相對折射率差為c,所述外包層段的相對折射率差為d,其中,d大于c,c大于b,b小于a,a小于d; 所述成型方法包括以下步驟: 在石英基管中通入四氯化硅和氧氣使兩者反應產生生成物,生成物沉積在基管內壁以形成外包層段; 之后,向所述石英基管中通入四氯化硅、氧氣和含氟氣體,根據所述包裹層各段不同的相對折射率差通過控制含氟氣體的流量,依次沉積形成摻氟的第二輔助緩沖層段、下陷層段和第一輔助緩沖層段; 在形成所述第一輔助緩沖層段之后,在所述石英基管中通入四氯化硅、四氯化鍺和氧氣使兩者反應產生生成物,生成物沉積在所述第一輔助緩沖層段內壁以形成芯層,從而形成預制棒; 將沉積好的所述預制棒高溫熔縮成實心的光纖預制棒; 將所述光纖預制棒經過拉絲制成預設直徑的光纖。
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