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龍圖騰網獲悉北京智芯微電子科技有限公司;北京芯可鑒科技有限公司申請的專利全隔離橫向雙擴散半導體器件及制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115939141B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310055837.5，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權全隔離橫向雙擴散半導體器件及制造方法是由陳燕寧;王凱;付振;劉芳;余山;鄧永峰;吳波;梁英宗;郁文;劉倩倩設計研發完成，并于2023-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本全隔離橫向雙擴散半導體器件及制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體領域，提供一種全隔離橫向雙擴散半導體器件及制造方法。全隔離橫向雙擴散半導體器件包括半導體襯底、源極體區、漏極漂移區、源極、漏極以及柵極，還包括：第一類型的第一埋層、第二類型埋層以及場氧隔離組合結構；場氧隔離組合結構包括淺溝槽隔離結構和兩個分別覆蓋淺溝槽隔離結構兩側壁角的LOCOS鳥嘴結構；漏極漂移區與第一類型的第一埋層在縱向上連接，位于漏極漂移區兩側的源極體區與第一類型的第一埋層在縱向上連接形成第一隔離環結構。本發明采用LOCOS與STI相結合的場氧隔離組合結構，提升器件的擊穿電壓；通過第一隔離環結構對漏極漂移區進行全隔離，形成橫向導通路徑和縱向導通路徑，降低導通電阻，提升可靠性。

本發明授權全隔離橫向雙擴散半導體器件及制造方法在權利要求書中公布了：1.一種全隔離橫向雙擴散半導體器件，包括半導體襯底、源極體區、漏極漂移區、源極、漏極以及柵極，其特征在于，還包括：第一類型的第一埋層、第二類型埋層以及場氧隔離組合結構； 場氧隔離組合結構包括淺溝槽隔離結構和兩個分別覆蓋淺溝槽隔離結構兩側壁角的LOCOS鳥嘴結構，兩個LOCOS鳥嘴結構相互獨立，兩個LOCOS鳥嘴結構覆蓋在所述淺溝槽隔離結構兩側壁角的尖角處，利用LOCOS鳥嘴結構的光滑性彌補所述淺溝槽隔離結構的兩側尖角處的過大的電荷密度； 漏極漂移區與第一類型的第一埋層在縱向上連接，位于漏極漂移區兩側的源極體區與第一類型的第一埋層在縱向上連接形成第一隔離環結構，第一隔離環結構用于對漏極漂移區進行全隔離，使得場氧隔離組合結構與漏極漂移區之間形成橫向導通路徑和縱向導通路徑，以減少場氧隔離組合結構與漏極漂移區之間的導通電阻。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京智芯微電子科技有限公司;北京芯可鑒科技有限公司，其通訊地址為：100192 北京市海淀區西小口路66號中關村東升科技園A區3號樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。