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龍圖騰網獲悉中國科學院大學申請的專利一種半透明鈣鈦礦太陽電池制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116322072B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310090959.8，技術領域涉及：H10K30/10；該發明授權一種半透明鈣鈦礦太陽電池制備方法是由張麗萌;劉豐珍;周玉榮設計研發完成，并于2023-02-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半透明鈣鈦礦太陽電池制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半透明鈣鈦礦太陽電池制備方法，包括n?i?p型結構或p?i?n型結構的半透明鈣鈦礦太陽電池。本發明的有益效果是：所使用的透明導電氧化物薄膜的制備方法是反應等離子體沉積，能夠避免沉積過程中對襯底造成損傷，無需在鈣鈦礦電池上添加緩沖層；所使用的制備透明導電氧化物薄膜的原材料為購置的塊體靶材，且除離子槍所需氬氣外不需要添加其他工藝氣體，制備方法簡單；以反應等離子體沉積透明導電氧化物薄膜作為頂部透明導電層的半透明鈣鈦礦太陽電池，頂部透明電極無需退火，適用于不耐高溫的鈣鈦礦，制備工藝比較簡單，可以實現寬帶隙鈣鈦礦電池轉換效率20％，具有高效、低成本潛力，適用于大面積電池。

本發明授權一種半透明鈣鈦礦太陽電池制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半透明鈣鈦礦太陽電池制備方法，其特征在于：包括n-i-p型結構或p-i-n型結構的半透明鈣鈦礦太陽電池，該太陽電池結構由上而下從上到下依次為Ag柵線1、頂部透明導電層2、第一傳輸層3、鈣鈦礦層4、第二傳輸層5以及ITO玻璃層6； 所述n-i-p型結構太陽電池的第一傳輸層3為空穴傳輸層，且第二傳輸層5為電子傳輸層；所述p-i-n型結構太陽電池的第一傳輸層3為電子傳輸層，且第二傳輸層5為空穴傳輸層；位于最上層的所述Ag柵線1為太陽電池的陽極，位于最下層所述ITO玻璃層6上的Ag柵線1為太陽電池的陰極； 半透明鈣鈦礦太陽電池的制備方法包括以下步驟： 步驟一、采用ITO玻璃清洗劑、去離子水、丙酮、乙醇依次超聲清洗ITO玻璃層6襯底； 步驟二、采用紫外-臭氧處理步驟一中備好的ITO玻璃層6襯底10-30分鐘； 步驟三、在步驟二處理后的ITO玻璃層6襯底上制備載流子的第二傳輸層5； 步驟四、在步驟三制備的載流子傳輸層上，旋涂鈣鈦礦溶液構成鈣鈦礦薄膜，以制備鈣鈦礦層4； 步驟五、在步驟四制備的鈣鈦礦層4上，旋涂制備載流子的第一傳輸層3； 步驟六、將氧化物靶材和步驟五制備好的樣品放入反應等離子體沉積設備，以制備由透明導電氧化物薄膜構成的頂部透明導電層2，抽真空，真空度達到10-4Pa后，向腔體通入氬氣，腔室內氣壓0.4-0.7Pa時開啟主電源，起輝后調整氬氣流量到腔室氣壓穩定在0.1-0.4Pa，調整工作電流為30-60A，打開擋板，薄膜沉積開始，通過控制時間來控制薄膜厚度，待沉積結束后，使擋板遮擋樣品，關閉主電源和氬氣，透明導電氧化物薄膜沉積完畢； 步驟七、在步驟六制備的透明導電氧化物薄膜表面采用熱蒸發技術制備Ag柵線1作為陽極，并在ITO玻璃層6表面采用熱蒸發技術制備Ag柵線1作為陰極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院大學，其通訊地址為：101408 北京市懷柔區懷北鎮懷北莊380號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。