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龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利自旋軌道矩磁隨機存儲器及其操作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115996628B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310212574.4，技術領域涉及：H10N50/80；該發明授權自旋軌道矩磁隨機存儲器及其操作方法是由王開友;雷坤;阿貝貝;蘭修凱設計研發完成，并于2023-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本自旋軌道矩磁隨機存儲器及其操作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種自旋軌道矩磁隨機存儲器，包括多個存儲單元，每個存儲單元包括：軌道霍爾層，適用于在面內電流的作用下產生軌道極化流；合金材料層，包括具有相反極性的自旋軌道轉換系數的合金材料，適用于在流經合金材料層的面內電流和軌道極化流的作用下產生沿第一自旋方向的自旋極化流和沿與第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋極化流；磁隧道結，自下而上依次包括：磁自由層，隧穿絕緣層，磁釘扎層，反鐵磁層或者人工反鐵磁層；保護層；其中，沿第一自旋方向的自旋極化流和與第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋極化流產生競爭自旋流效應，誘導磁自由層的磁矩發生定向翻轉，以向存儲單元存儲信息。

本發明授權自旋軌道矩磁隨機存儲器及其操作方法在權利要求書中公布了：1.一種自旋軌道矩磁隨機存儲器，包括以陣列形式排布的多個存儲單元，其特征在于，每個所述存儲單元包括： 軌道霍爾層（103），適用于在流經所述軌道霍爾層（103）的面內電流的作用下產生軌道極化流； 合金材料層（104），包括具有相反極性的自旋軌道轉換系數的合金材料，形成在所述軌道霍爾層（103）上，適用于在流經所述合金材料層（104）的所述面內電流和所述軌道極化流的作用下產生沿第一自旋方向的自旋極化流和沿與所述第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋極化流； 磁隧道結（110），形成在所述合金材料層（104）上，自下而上依次包括： 磁自由層（111），形成在所述合金材料層（104）上，所述磁自由層（111）具有垂直各向異性； 隧穿絕緣層（112），采用氧化物薄膜形成； 磁釘扎層（113），具有固定的磁化方向，所述磁釘扎層（113）具有垂直各向異性； 反鐵磁層或者人工反鐵磁層（114），適用于釘扎所述磁釘扎層（113）的磁化方向，以使所述磁釘扎層（113）的磁化方向保持固定； 保護層（121），適用于防止所述磁隧道結（110）被氧化； 其中，沿所述第一自旋方向的自旋極化流和與所述第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋極化流產生競爭自旋流效應，誘導所述磁自由層（111）的磁矩發生定向翻轉，以向所述存儲單元存儲信息。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：100083 北京市海淀區清華東路甲35號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。