南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司吳小明獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司申請的專利一種測量LED芯片光提取效率及內量子效率的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116500403B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310355515.2，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權一種測量LED芯片光提取效率及內量子效率的方法是由吳小明;林前英;陳湘婷設計研發完成，并于2023-04-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種測量LED芯片光提取效率及內量子效率的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種測量LED芯片光提取效率及內量子效率的方法，實現方案是：測量至少三個不同xn的LED芯片的外量子效率En，其中xn表示LED芯片的出光面中光滑面的面積與總出光面的面積的比值，0＜xn＜1；根據En與xn的數值，通過公式[xna+1?xnb]c＝En進行非線性擬和得到a、b、c常數，從而計算出LED的光提取效率LEE＝xna+1?xnb及內量子效率IQE＝c。由于實際LED芯片中集成反射鏡、粗化面等提高出光效率的結構，出光模式較為復雜，模擬和利用PL測量得到的LED光提取效率的方法與LED芯片實際的光提取效率相差較大，此測量方法基于實際測量結果計算更能反應LED芯片實際的光提取效率和內量子效率。
本發明授權一種測量LED芯片光提取效率及內量子效率的方法在權利要求書中公布了：1.一種測量LED芯片光提取效率及內量子效率的方法，其特征在于：測量至少三個不同xn的LED芯片的外量子效率En，其中xn表示LED芯片的出光面中光滑面的面積與總出光面的面積的比值，0＜xn＜1；根據En與xn的數值，通過公式1進行非線性擬和得到a、b、c常數，從而計算出LED的光提取效率LEE＝xna+1-xnb及內量子效率IQE＝c，公式1如下： [xna+1-xnb]c＝En1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司，其通訊地址為：330031 江西省南昌市紅谷灘區學府大道999號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號