長鑫存儲技術有限公司章慧獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構的制作方法及半導體結構、半導體接合結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118824940B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310385935.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構的制作方法及半導體結構、半導體接合結構是由章慧;吳雙雙;王春陽設計研發完成，并于2023-04-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制作方法及半導體結構、半導體接合結構在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導體結構的制作方法及半導體結構、半導體接合結構，制作方法包括：提供金屬層；形成鈍化層，鈍化層覆蓋金屬層的頂表面；形成至少一個溝槽，溝槽至少貫穿鈍化層；形成介質材料層，介質材料層填充溝槽并覆蓋鈍化層的頂表面；以鈍化層的頂表面作為研磨停止終點研磨介質材料層，研磨保留的介質材料層在溝槽中形成介質層。本公開通過調整工藝順序，在對金屬層進行刻蝕處理之前，在整層的金屬層上形成鈍化層，減小形成在金屬層上的膜層的厚度，然后執行形成溝槽、形成介質材料層填充溝槽的步驟，以鈍化層的頂表面作為研磨停止終點研磨介質材料層，優化了制程過程，提高了處理效率，提高形成的半導體結構的品質。
本發明授權半導體結構的制作方法及半導體結構、半導體接合結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的制作方法包括： 提供金屬層； 形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述金屬層的頂表面； 形成至少一個溝槽，所述溝槽至少貫穿所述鈍化層； 形成介質材料層，所述介質材料層填充所述溝槽并覆蓋所述鈍化層的頂表面； 以所述鈍化層的頂表面作為研磨停止終點研磨所述介質材料層，研磨保留的所述介質材料層在所述溝槽中形成介質層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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