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龍圖騰網獲悉清能德創電氣技術(北京)有限公司;蕪湖清能德創電子技術有限公司申請的專利一種氮化鎵驅動器的抗干擾功率回路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117254743B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311286345.3，技術領域涉及：H02P27/08；該發明授權一種氮化鎵驅動器的抗干擾功率回路是由張燕海;劉波;湯小平設計研發完成，并于2023-10-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氮化鎵驅動器的抗干擾功率回路在說明書摘要公布了：本申請公開了一種氮化鎵驅動器的抗干擾功率回路，包括控制芯片、驅動芯片、功率電路、采樣信號放大電路、電流采樣電阻電路以及PWM濾波電路；控制芯片的輸出端分別通過上下橋PWM濾波電路連接驅動芯片的輸入端，驅動芯片的輸出端連接功率電路；上下橋PWM濾波電路的一輸出端分別接信號地SGND；驅動芯片的兩個參考地平面VSS連接后接信號地SGND，其中一個參考地平面VSS連接功率電路中的下橋臂氮化鎵芯片U2的源極；通過本申請所述回路，既保證氮化鎵功率芯片的柵極到源極之間的穩定性，又使控制芯片和驅動芯片兩邊的電位差相同，避免驅動器誤動作或者損壞的問題。

本發明授權一種氮化鎵驅動器的抗干擾功率回路在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵驅動器的抗干擾功率回路，包括控制芯片、驅動芯片、功率電路、采樣信號放大電路以及電流采樣電阻電路，其特征在于，還包括：PWM濾波電路； 所述PWM濾波電路包括上橋臂PWM濾波電路和下橋臂PWM濾波電路； 所述控制芯片的高側PWM控制輸出信號端通過所述上橋臂PWM濾波電路連接驅動芯片的高側控制信號輸入端HI，低側PWM控制輸出信號端通過所述下橋臂PWM濾波電路連接驅動芯片的低側控制信號輸入端LI，所述上橋臂PWM濾波電路和下橋臂PWM濾波電路的一輸出端分別接信號地SGND； 所述功率電路包括上橋臂功率電路和下橋臂功率電路；所述上橋臂功率電路包括上橋臂氮化鎵功率芯片U1和驅動電阻R5，所述下橋臂功率電路包括下橋臂氮化鎵功率芯片U2和驅動電阻R6； 所述驅動芯片的兩個參考地平面VSS連接后接信號地SGND，其中一個參考地平面VSS連接下橋臂氮化鎵芯片U2的源極，低側驅動輸出端LO通過驅動電阻R6連接下橋臂氮化鎵功率芯片U2的柵極，高側驅動輸出端HO通過驅動電阻R5連接上橋臂氮化鎵功率芯片U1的柵極，高側驅動回流端HS直接連接上橋臂氮化鎵功率芯片U1的源極； 所述下橋臂氮化鎵芯片U2的源極通過所述電流采樣電阻電路連接電流采樣信號放大電路的輸入端，所述采樣信號放大電路的輸出端連接所述控制芯片的模擬量輸入端；所述控制芯片的一輸出端接電源地PGND，所述電流采樣電阻電路的一輸出端接接電源地PGND； 所述上橋臂PWM濾波電路包括：電阻R1、電阻R2以及電容C1，所述電阻R1的輸入端連接所述驅動芯片的高側PWM控制輸出信號端，電阻R1一輸出端連接所述驅動芯片的高側控制信號輸入端HI，在電阻R1的輸出端與驅動芯片的高側控制信號輸入端HI之間的結點引出第一支路和第二支路，第一支路串聯電阻R2后接信號地SGND，第二支路串聯電容C1接信號地SGND； 所述下橋臂PWM濾波電路包括：電阻R3、電阻R4以及電容C2，所述電阻R3的輸入端連接所述驅動芯片的低側PWM控制輸出信號端，電阻R3一輸出端連接所述驅動芯片的低側控制信號輸入端LI，在電阻R3的輸出端與驅動芯片的低側控制信號輸入端LI之間的結點引出第一支路和第二支路，第一支路串聯電阻R4后接信號地SGND，第二支路串聯電容C2接信號地SGND； 使所述PWM濾波電路和所述功率電路中的所有電容和電阻大小為預設參數，用于消除不同地面產生的電位差產生的干擾； 所述上橋臂功率電路和下橋臂功率電路共同構成全橋逆變拓撲結構，用于產生互為120°三相正弦波形以驅動電機。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人清能德創電氣技術(北京)有限公司;蕪湖清能德創電子技術有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區榮昌東街甲5號3號樓3層301-2室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。