蘇州大學石震武獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州大學申請的專利面向半導體分子束外延的一種圖形化可控液滴外延方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118147746B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410261029.9，技術領域涉及：C30B25/16；該發明授權面向半導體分子束外延的一種圖形化可控液滴外延方法是由石震武;任卯韞;彭長四;程靈素;耿彪設計研發完成，并于2024-03-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本面向半導體分子束外延的一種圖形化可控液滴外延方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體技術領域，涉及面向半導體分子束外延的一種圖形化可控液滴外延方法。該方法包括以下步驟，將襯底的溫度維持在低于目標液滴材料的熔點；在襯底表面沉積目標液滴材料，形成金屬鍍膜層，沉積厚度高于目標液滴材料正常形成液滴時的臨界厚度；原位引入激光干涉脈沖輻照作用于所述金屬鍍膜層，實現目標液滴的圖形化有序構筑。本發明方法可實現圖形化制備III族元素液滴，該方法的原理和實施過程完全兼容傳統的液滴外延過程，不存在引入任何材料缺陷的風險，不對襯底種類有選擇，從而解決當前現有圖形化技術普遍存在的包括材料晶體質量潛在的損傷，液滴成分一致性差以及液滴的種類直接受限于選用的襯底等問題。
本發明授權面向半導體分子束外延的一種圖形化可控液滴外延方法在權利要求書中公布了：1.面向半導體分子束外延的一種圖形化可控液滴外延方法，其特征在于，包括以下步驟， S1：將襯底的溫度維持在低于目標液滴材料的熔點5-10℃，所述目標液滴材料為III族金屬材料； S2：在襯底表面沉積目標液滴材料，形成金屬鍍膜層，沉積厚度高于目標液滴材料正常形成液滴時的臨界厚度1-3個原子層； S3：原位引入激光干涉脈沖輻照作用于所述金屬鍍膜層，實現目標液滴的圖形化有序構筑； 其中，原位引入激光干涉脈沖輻照作用于所述金屬鍍膜層，使得干涉增強區的溫度高于目標液滴材料的熔點，干涉相消區的溫度低于目標液滴材料的熔點； 激光干涉脈沖的脈沖寬度為5-50ns，能量為10-40mJ，偏振模式為S波。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學，其通訊地址為：215299 江蘇省蘇州市吳江區久泳西路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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