佛山市國星半導體技術有限公司陳凱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉佛山市國星半導體技術有限公司申請的專利一種AlGaN基深紫外LED芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118448544B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410540920.6，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權一種AlGaN基深紫外LED芯片及其制備方法是由陳凱;周鑫;徐亮;范凱平;鄭洪仿;鐘美云設計研發完成，并于2024-04-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種AlGaN基深紫外LED芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種AlGaN基深紫外LED芯片及其制備方法，涉及半導體技術領域，AlGaN基深紫外LED芯片包括外延片、以及設置在外延片上的p型電極和n型電極，n型電極上設置有疊層結構，疊層結構包括依次層疊設置在n型電極上的ITO層、第一Al層、第一金屬層、第二Al層、第二金屬層和第三Al層；其中，ITO層由若干陣列設置的ITO半球組成，第一Al層填平若干陣列設置的ITO半球之間的間隙。本發明通過在n型電極上設置疊層結構，疊層結構中陣列設置的ITO半球，以及層疊設置Al層和金屬層，能有效改善n型電極的電流分散性，以及減少n型電極對光的損耗，有利于提高AlGaN基深紫外LED芯片的發光效率。
本發明授權一種AlGaN基深紫外LED芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種AlGaN基深紫外LED芯片，包括外延片、以及設置在所述外延片上的p型電極和n型電極，其特征在于，所述n型電極上設置有疊層結構，所述疊層結構包括依次層疊設置在所述n型電極上的ITO層、第一Al層、第一金屬層、第二Al層、第二金屬層和第三Al層；其中，所述ITO層由若干陣列設置的ITO半球組成，所述第一Al層填平所述若干陣列設置的ITO半球之間的間隙； 在所述ITO半球的作用下，所述第一Al層與所述ITO層接觸的一面形成凹凸不平的糙面；所述ITO半球形成微腔，所述第一Al層的Al元素附著在所述微腔上形成所述微腔的金屬結構，所述微腔和所述金屬結構形成諧振腔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人佛山市國星半導體技術有限公司，其通訊地址為：528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅村朗沙廣東新光源產業基地內光明大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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