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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州英諾迅科技股份有限公司申請(qǐng)的專利一種柵極正壓偏置的N溝道耗盡型GaN HEMT器件獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN223334660U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202422091870.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K17/687；該實(shí)用新型一種柵極正壓偏置的N溝道耗盡型GaN HEMT器件是由高懷;田婷設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種柵極正壓偏置的N溝道耗盡型GaN HEMT器件在說明書摘要公布了：本實(shí)用新型公開了一種柵極正壓偏置的N溝道耗盡型GaNHEMT器件，其包括：N溝道耗盡型GaNHEMT器件和源極電阻Rs，通過在N溝道耗盡型GaNHEMT器件源極連接源極電阻Rs，源極電阻Rs的另一端接地，柵極電壓VG正壓偏置且VG≤VTH+Vs，N溝道耗盡型GaNHEMT器件的溝道處于夾斷狀態(tài)。本實(shí)用新型可以使N溝道耗盡型GaNHEMT器件應(yīng)用中不需要增加額外的電源芯片來提供負(fù)壓，同時(shí)也不需要增加額外的時(shí)序電路確保上、下電順序，防止器件燒毀。

本實(shí)用新型一種柵極正壓偏置的N溝道耗盡型GaN HEMT器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種柵極正壓偏置的N溝道耗盡型GaNHEMT器件，其特征在于： 包括有柵極正電源端VGG、漏極正電源端VDD、N溝道耗盡型GaNHEMT器件和源極電阻Rs； 柵極正電源端VGG為N溝道耗盡型GaNHEMT器件的柵極提供正偏置電壓，或者N溝道耗盡型GaNHEMT器件柵極電壓VG由漏極正電源端VDD經(jīng)過電阻分壓或者穩(wěn)壓電源芯片提供； 漏極正電源端VDD為N溝道耗盡型GaNHEMT器件的漏極提供漏源電流IDS； N溝道耗盡型GaNHEMT器件源極連接源極電阻Rs，源極電阻Rs的另一端接地，N溝道耗盡型GaNHEMT器件柵極電壓VG設(shè)置為正壓偏置，N溝道耗盡型GaNHEMT器件的溝道處于夾斷狀態(tài)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人蘇州英諾迅科技股份有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)林泉街399號(hào)東南大學(xué)三江院107室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。