江西兆馳半導體有限公司胡加輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種發光二極管的外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119092608B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411207834.X，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權一種發光二極管的外延片及其制備方法是由胡加輝;鄭文杰;程龍;高虹;劉春楊;金從龍設計研發完成，并于2024-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光二極管的外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體材料的技術領域，公開了一種發光二極管的外延片及其制備方法，所述外延片包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，非摻雜GaN層，N型GaN層，多量子阱層和P型組合層；其中，所述P型組合層包括AlNInNP型AlGaN超晶格層和AlGaNP型InGaNP型GaN超晶格層。實施本發明，可以提高活化Mg濃度，提高空穴濃度和空穴注入效率，減少電子溢流效應，提高電子與空穴輻射復合效率，提升發光二極管的發光效率和抗靜電性能。
本發明授權一種發光二極管的外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管的外延片，其特征在于，包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，非摻雜GaN層，N型GaN層，多量子阱層和P型組合層； 其中，所述P型組合層包括AlNInNP型AlGaN超晶格層和AlGaNP型InGaNP型GaN超晶格層； 所述AlNInNP型AlGaN超晶格層為AlN層、InN層和P型AlGaN層由下至上依次交替層疊形成的超晶格結構，交替的周期數為3~8； 所述AlGaNP型InGaNP型GaN超晶格層為AlGaN層、P型InGaN層和P型GaN層由下至上依次交替層疊形成的超晶格結構，交替的周期數為5~20。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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