南寧桂電電子科技研究院有限公司;桂林電子科技大學蔡平獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南寧桂電電子科技研究院有限公司;桂林電子科技大學申請的專利一種基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119786272B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510043872.4，技術領域涉及：H01G11/30；該發明授權一種基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極及其制備方法是由蔡平;胡海清;李思遠;高瑞祥;張煥芝設計研發完成，并于2025-01-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極，由MXene膠體溶液和鈦氧團簇前驅體分散液混合反應形成MXene納米片團簇，然后摻雜到MXene膠體溶液中得到；其中，所述鈦氧團簇前驅體分散液由TiOiPr4、苯甲酸和金屬離子分散液混合反應得到；所述MXene納米片團簇中，鈦氧團簇原位生長在MXene納米片上；所述鈦氧團簇為籠狀簇。本發明提供了一種在酸性條件能與MXene穩定結合存在的MOF類型，緩解了二維MXene納米片重新堆疊的問題，同時也提供了更多的活性位點從而提高其電化學活性，促進了柔性薄膜電極在柔性可穿戴電子產品中的應用。
本發明授權一種基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極，其特征在于，所述基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極由MXene膠體溶液和鈦氧團簇前驅體分散液混合反應形成MXene納米片團簇，然后摻雜到MXene膠體溶液中得到； 其中， 所述鈦氧團簇前驅體分散液由TiOiPr4、苯甲酸和金屬離子分散液混合反應得到； 所述MXene納米片團簇中，鈦氧團簇原位生長在MXene納米片上； 所述鈦氧團簇為籠狀簇； 所述基于鈦氧團簇和金屬離子配合物修飾MXene的柔性自支撐薄膜電極為多層結構，層間距范圍為5.91-6.33μm； 所述金屬離子分散液包括金屬離子，所述金屬離子選自鑭系、錒系或過渡金屬中的一種或多種。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南寧桂電電子科技研究院有限公司;桂林電子科技大學，其通訊地址為：530000 廣西壯族自治區南寧市江南區沙井大道56號南寧華南城一期物流區2號廣場A棟第五層A區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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