買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉江西漢可泛半導體技術有限公司申請的專利一種制備摻氧微晶硅薄膜的方法及設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120111987B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510266384.X，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種制備摻氧微晶硅薄膜的方法及設備是由黃海賓;劉翠翠設計研發完成，并于2025-03-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種制備摻氧微晶硅薄膜的方法及設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種制備摻氧微晶硅薄膜的方法，包括：將硅片襯底進行制絨，獲得雙面制絨的制絨硅片；在制絨硅片的兩面上分別沉積本征硅層，獲得第一結構；將第一結構置于熱絲化學氣相沉積設備中，并通入H2進行硅片表面的氫刻蝕，然后控制熱絲化學氣相沉積設備中反應腔室內的壓力，同時通入SiH4和H2，在制絨硅片迎光面的本征硅層上沉積引晶層，獲得第二結構；向反應腔室內同時通入SiH4、H2、N2O和PH3，在第二結構的引晶層上沉積得到摻氧微晶硅層。此外，本發明還涉及一種采用上述方法制備摻氧微晶硅薄膜的設備。本發明可以通過HoFCVD設備在例如異質結電池的迎光面上形成摻氧微晶薄膜，從而解決迎光面的寄生吸收的問題。

本發明授權一種制備摻氧微晶硅薄膜的方法及設備在權利要求書中公布了：1.一種制備摻氧微晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括： 將硅片襯底進行制絨，獲得雙面制絨的制絨硅片； 在制絨硅片的兩面上分別沉積本征硅層，獲得第一結構； 將第一結構置于熱絲化學氣相沉積設備中，并通入H2進行硅片表面的氫刻蝕，通入H2的氣體流量在200-1000sccm，然后控制熱絲化學氣相沉積設備中反應腔室內的壓力，同時通入SiH4和H2，在制絨硅片迎光面的本征硅層上沉積引晶層，獲得第二結構； 向反應腔室內同時通入SiH4、H2、N2O和PH3，在第二結構的引晶層上沉積得到摻氧微晶硅層，通入SiH4的氣體流量在150-300sccm，H2的氣體流量在1100-5000sccm，N2O的氣體流量在45-100sccm；0＜通入的SiH4和N2O的用量比≤1:10且N2O的用量隨著工藝時間逐漸減少；通入的SiH4和PH3的用量比隨著工藝時間由50:1減少到13:1； 其中，在沉積引晶層和摻氧微晶硅層時，通入的SiH4和H2的用量比范圍是1:10-1:20。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西漢可泛半導體技術有限公司，其通訊地址為：332020 江西省九江市共青城市高新區火炬五路以北,科技二大道以東(漢可泛半導體智能裝備制造產業園一期)廠房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。