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龍圖騰網(wǎng)獲悉能量奇點(diǎn)能源科技(上海)有限公司申請的專利高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法、高溫超導(dǎo)磁體獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120413265B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510926127.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01F41/00；該發(fā)明授權(quán)高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法、高溫超導(dǎo)磁體是由李柱永;高波;張超;楊釗設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法、高溫超導(dǎo)磁體在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法、高溫超導(dǎo)磁體，所述高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法包括以下步驟：S1、加熱高溫超導(dǎo)磁體的骨架的內(nèi)側(cè)接頭、外側(cè)接頭，再通過第一浸漬焊料浸漬內(nèi)側(cè)接頭、外側(cè)接頭處的高溫超導(dǎo)帶材、骨架；加熱高溫超導(dǎo)磁體的其他區(qū)域，即高溫超導(dǎo)磁體中除了內(nèi)側(cè)接頭、外側(cè)接頭處的高溫超導(dǎo)帶材、骨架以外的區(qū)域，再通過第二浸漬焊料浸漬高溫超導(dǎo)磁體的其他區(qū)域。其中，第一浸漬焊料為低電阻率、高熔點(diǎn)的錫鉛合金，第二浸漬焊料為低熔點(diǎn)的銦單質(zhì)、銦錫合金或鉍錫合金。所述高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法可大幅降低浸漬作業(yè)的浸漬溫度，擴(kuò)展浸漬工藝窗口，浸漬操作更加簡單。

本發(fā)明授權(quán)高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法、高溫超導(dǎo)磁體在權(quán)利要求書中公布了：1.高溫超導(dǎo)磁體的浸漬方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、加熱高溫超導(dǎo)磁體的骨架的內(nèi)側(cè)接頭、外側(cè)接頭，再通過第一浸漬焊料浸漬所述內(nèi)側(cè)接頭、外側(cè)接頭處的高溫超導(dǎo)帶材、骨架； S2、加熱高溫超導(dǎo)磁體的其他區(qū)域，即高溫超導(dǎo)磁體中除了內(nèi)側(cè)接頭、外側(cè)接頭處的高溫超導(dǎo)帶材、骨架以外的區(qū)域，再通過第二浸漬焊料浸漬所述高溫超導(dǎo)磁體的其他區(qū)域； 步驟S1中，加熱溫度高于所述第一浸漬焊料的熔點(diǎn)5~10℃； 所述第一浸漬焊料為低電阻率、高熔點(diǎn)的錫鉛合金，加熱溫度為190~200℃； 步驟S2中，加熱溫度高于所述第二浸漬焊料的熔點(diǎn)5~10℃， 所述第二浸漬焊料為低熔點(diǎn)的銦單質(zhì)，加熱溫度為165~175℃， 或者， 所述第二浸漬焊料為低熔點(diǎn)的銦錫合金，加熱溫度為130~140℃， 或者， 所述第二浸漬焊料為低熔點(diǎn)的鉍錫合金，加熱溫度為150~160℃。

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