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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種垂直發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120475830B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510970295.3，技術領域涉及：H10H20/84；該發明授權一種垂直發光二極管芯片及其制備方法是由李文濤;鄒燕玲;張存磊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2025-07-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種垂直發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及LED的技術領域，公開了一種垂直發光二極管芯片及其制備方法，包括：外延層和導電襯底，外延層上形成有N型導電臺階和隔離槽，外延層的一側設置有電流擴展層、第一絕緣層、P型金屬反射層和P型金屬導電層，第一絕緣層覆蓋電流擴展層，第一絕緣層上形成有第一通孔，P型金屬反射層設置于第一絕緣層上，并通過第一通孔與電流擴展層相接觸，P型金屬導電層覆蓋P型金屬反射層，其中，第一絕緣層包括依次堆疊設置的第一絕緣子層、第二絕緣子層和第三絕緣子層，第一絕緣子層、第二絕緣子層和第三絕緣子層均為通入N2O和SiH4兩種氣體反應形成的SiO2薄膜。實施本發明，可以大幅減小絕緣層的應力，提高襯底的剝離良率。

本發明授權一種垂直發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直發光二極管芯片，其特征在于，包括外延層和導電襯底； 所述外延層上形成有N型導電臺階和隔離槽，所述外延層的一側設置有電流擴展層、第一絕緣層、P型金屬反射層和P型金屬導電層，所述第一絕緣層覆蓋所述電流擴展層，所述第一絕緣層上形成有第一通孔，所述P型金屬反射層設置于所述第一絕緣層上，并通過所述第一通孔與所述電流擴展層相接觸，所述P型金屬導電層覆蓋所述P型金屬反射層并與所述第一絕緣層相接觸； 所述P型金屬導電層上設置有第二絕緣層，且所述第二絕緣層上設置有貫穿至所述N型導電臺階的第二通孔，所述第二絕緣層上設置有N型金屬導電層，所述N型金屬導電層通過所述第二通孔與所述外延層相接觸； 所述外延層的另一側設置有第三絕緣層，且所述第三絕緣層覆蓋所述隔離槽，所述隔離槽的位置處形成有從所述第三絕緣層貫穿至所述P型金屬導電層的第三通孔，所述第三通孔處設置有P型焊盤； 所述導電襯底通過鍵合層鍵合于所述N型金屬導電層上； 其中，所述第一絕緣層包括依次堆疊設置的第一絕緣子層、第二絕緣子層和第三絕緣子層；所述第一絕緣子層、第二絕緣子層和第三絕緣子層均為通入N2O和SiH4兩種氣體反應形成的SiO2薄膜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。