買(mǎi)專利賣(mài)專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉江西薩瑞半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種具有超低電容的雙向回滯型TVS器件及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120475724B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510969678.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/00；該發(fā)明授權(quán)一種具有超低電容的雙向回滯型TVS器件及其制備方法是由余快;杜天倫;宋銳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種具有超低電容的雙向回滯型TVS器件及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種具有超低電容的雙向回滯型TVS器件及其制備方法，通過(guò)P型襯底以及嵌設(shè)于P型襯底中的隔離層，隔離層將P型襯底分割為兩個(gè)區(qū)域；一個(gè)區(qū)域內(nèi)包括依次沉積于P型襯底的第一N型層、第一P型層、第二N型層以及摻雜濃度高于第一P型層的第二P型層，其中，第一N型層和第二N型層均包括橫向設(shè)置的兩個(gè)不同摻雜濃度的區(qū)域，且第一N型層和第二N型層中兩個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)相反；另一區(qū)域內(nèi)包括依次沉積于P型襯底的第三N型層和第三P型層；當(dāng)具有超低電容的雙向回滯型TVS器件的襯底為N型?時(shí)，通過(guò)對(duì)襯底為P型的具有超低電容的雙向回滯型TVS器件中所有摻雜反型即得，可以在滿足正負(fù)雙向瞬態(tài)電壓沖擊的同時(shí)，具有超低電容特性。

本發(fā)明授權(quán)一種具有超低電容的雙向回滯型TVS器件及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種具有超低電容的雙向回滯型TVS器件，其特征在于，當(dāng)具有超低電容的雙向回滯型TVS器件的襯底為P型?時(shí)，包括P型襯底以及嵌設(shè)于所述P型襯底中的隔離層，所述隔離層將所述P型襯底分割為兩個(gè)區(qū)域； 一個(gè)區(qū)域內(nèi)包括自下而上依次沉積于所述P型襯底上的第一N型層、第一P型層、第二N型層以及摻雜濃度高于所述第一P型層的第二P型層，其中，所述第一N型層包括橫向設(shè)置的第一N型區(qū)域和摻雜濃度低于所述第一N型區(qū)域的第二N型區(qū)域，所述第二N型層包括橫向設(shè)置的第三N型區(qū)域和摻雜濃度低于所述第三N型區(qū)域的第四N型區(qū)域，且所述第一N型區(qū)域與所述第四N型區(qū)域位于同側(cè)，所述第二N型區(qū)域與所述第三N型區(qū)域位于同側(cè)； 另一區(qū)域內(nèi)包括自下而上依次沉積于所述P型襯底上的第三N型層和第三P型層； 當(dāng)具有超低電容的雙向回滯型TVS器件的襯底為N型?時(shí)，通過(guò)對(duì)襯底為P型的具有超低電容的雙向回滯型TVS器件中所有摻雜反型即得。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人江西薩瑞半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)儒樂(lè)湖大街955號(hào)臨瑞青年公寓1號(hào)樓8樓811室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。