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龍圖騰網(wǎng)獲悉天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請的專利一種倒扣封裝芯片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120473398B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510977706.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)一種倒扣封裝芯片及其制備方法是由盧宇;張嬋娟;馬玉霞;蘇愛連;馬霞;王軼軍;張靜;梁小龍;李文娟;劉婉娜;莊立強設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-07-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種倒扣封裝芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種倒扣封裝芯片及其制備方法，屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。該芯片的制備包括：對外延片進行初始氧化、減薄處理、去應(yīng)力腐蝕、雙面光刻、正面腐蝕、正面貼膜、背面腐蝕、撕膜、去膠、磷預(yù)擴散、磷再擴散、P+環(huán)光刻腐蝕、硼注入、第一次退火、N++光刻腐蝕、蒸Ni、形成硅化物、硅化物腐蝕、Ti和Al蒸發(fā)、Al腐蝕、鈍化、鈍化光刻腐蝕、焊盤金屬蒸發(fā)、焊盤金屬光刻腐蝕以及第二次退火。通過對芯片制備工藝進行改進，例如對外延片、背面腐蝕以及磷預(yù)擴散和磷再擴散的工藝進行調(diào)整，可獲得正向壓降較小且背標(biāo)圖形不易錯位的倒扣封裝芯片。

本發(fā)明授權(quán)一種倒扣封裝芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種倒扣封裝芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：對外延片進行初始氧化、減薄處理、去應(yīng)力腐蝕、雙面光刻、正面腐蝕、正面貼膜、背面腐蝕、撕膜、去膠、磷預(yù)擴散、磷再擴散、P+環(huán)光刻腐蝕、硼注入、第一次退火、N++光刻腐蝕、蒸Ni、形成硅化物、硅化物腐蝕、Ti和Al蒸發(fā)、Al腐蝕、鈍化、鈍化光刻腐蝕、焊盤金屬蒸發(fā)、焊盤金屬光刻腐蝕以及第二次退火； 其中，所述外延片的摻雜濃度為7.0×1018cm-3至7.6×1018cm-3，所述外延片的厚度為4.7μm~5.1μm； 背面腐蝕所用的腐蝕液為體積比為0.8~1.2:0.8~1.2:2.8~3.2:3.8~4.2的氫氟酸、硝酸、磷酸以及醋酸；背面腐蝕的溫度為8℃~12℃，背面腐蝕的時間為8min~12min； 磷預(yù)擴散包括：于1080℃~1120℃的條件下進行，先以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧氣2.5min~3.5min，再通入磷源52min~58min，再以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧氣4.8min~5.2min； 磷再擴散包括：于1040℃~1060℃的條件下進行，先以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧氣8min~12min，再分別按3.8Lmin~4.2Lmin和4.8Lmin~5.2Lmin的流量同時通入氧氣和氫氣58min~62min，再以3.8Lmin~4.2Lmin的流量通入氧氣8min~12min。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，其通訊地址為：741001 甘肅省天水市秦州區(qū)環(huán)城西路7號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。