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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體器件及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113270369B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202010893901.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法是由吳仲?gòu)?qiáng);陳柏成;黃國(guó)展;葉品萱;李威縉;李顯銘;陳建豪;徐志安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。一種方法包括：在半導(dǎo)體區(qū)域上形成柵極電極，使得柵極電極凹陷以生成凹槽，執(zhí)行第一沉積工藝以在柵極電極上和凹槽中形成第一金屬層，其中第一沉積工藝是使用第一前體來(lái)執(zhí)行的，以及使用不同于第一前體的第二前體來(lái)執(zhí)行第二沉積工藝以在第一金屬層上形成第二金屬層。第一金屬層和第二金屬層包含相同的金屬。該方法還包括在第二金屬層之上形成電介質(zhì)硬掩模，以及形成穿過(guò)電介質(zhì)硬掩模的柵極接觸插塞。柵極接觸插塞接觸第二金屬層的頂表面。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括： 在半導(dǎo)體區(qū)域之上形成柵極電極； 使得所述柵極電極凹陷以生成凹槽； 執(zhí)行第一沉積工藝以在所述柵極電極上和所述凹槽中形成第一金屬層，其中，所述第一沉積工藝是使用第一前體來(lái)執(zhí)行的； 使用不同于所述第一前體的第二前體來(lái)執(zhí)行第二沉積工藝以在所述第一金屬層上形成第二金屬層，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層兩者均包含氟和氯，氯的第一峰值原子百分比在所述第一金屬層中，并且氟的第二峰值原子百分比在所述第二金屬層中； 在所述第二金屬層之上形成電介質(zhì)硬掩模；以及 形成穿過(guò)所述電介質(zhì)硬掩模的柵極接觸插塞，其中，所述柵極接觸插塞接觸所述第二金屬層的頂表面， 其中，使得所述柵極電極凹陷，包括： 第一凹陷工藝，用于使得所述柵極電極、柵極電介質(zhì)和柵極間隔件凹陷，其中，所述柵極電介質(zhì)包括位于所述柵極電極的側(cè)壁上的第一側(cè)壁部分，并且所述柵極電極和所述柵極電介質(zhì)位于所述柵極間隔件之間；以及 第二凹陷工藝，用于使得所述柵極電極凹陷以低于所述柵極電介質(zhì)的頂部邊緣。

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