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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利基板處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114787971B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080085410.4，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權基板處理方法是由立花康三設計研發完成，并于2020-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本基板處理方法在說明書摘要公布了：整體上確保高蝕刻速率，同時實現基板整體的蝕刻量分布的均勻化。基板處理方法包括一邊使基板旋轉一邊向所述基板的表面供給蝕刻液的第一蝕刻工序以及之后進行的第二蝕刻工序。第一蝕刻工序在使處于基板的表面的周緣側的第二區域的蝕刻量比處于中心側的第一區域的蝕刻量大的條件下進行，第二蝕刻工序在使第二區域的蝕刻量比第一區域的蝕刻量小的條件下進行。第二蝕刻工序是在通過向基板的背面的中心部供給溫度調節用液體來使基板的溫度比不供給溫度調節用液體的情況下的溫度高的條件下進行的。溫度調節用液體一邊被基板吸取熱一邊向基板的周緣擴展，由此使基板的表面的第一區域的溫度高于第二區域的溫度。

本發明授權基板處理方法在權利要求書中公布了：1.一種基板處理方法，包括以下工序： 第一蝕刻工序，一邊使基板旋轉一邊向所述基板的表面供給蝕刻液，在使處于所述基板的表面的周緣側的區域即第二區域的蝕刻對象膜的蝕刻量比處于所述基板的表面的中心側的區域即第一區域的蝕刻對象膜的蝕刻量大的條件下進行蝕刻；以及 第二蝕刻工序，在所述第一蝕刻工序之后，一邊使所述基板旋轉一邊向所述基板的表面供給所述蝕刻液，在使處于所述基板的表面的所述第二區域的所述蝕刻對象膜的蝕刻量比處于所述基板的表面的所述第一區域的所述蝕刻對象膜的蝕刻量小的條件下進行蝕刻， 其中，所述第一蝕刻工序比所述第二蝕刻工序先進行， 所述第二蝕刻工序是在通過向所述基板的背面的中心部供給溫度調節用液體來使所述基板的溫度比不供給所述溫度調節用液體的情況下的溫度高的條件下進行的，在所述第二蝕刻工序中，所述溫度調節用液體一邊被所述基板吸取熱一邊向所述基板的周緣擴展，由此使所述基板的表面的所述第一區域的溫度高于所述第二區域的溫度， 所述第一蝕刻工序的蝕刻量與所述第二蝕刻工序的蝕刻量之和在所述基板的表面整體上與徑向位置無關地固定。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。