長江存儲科技有限責任公司張珍珍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188329B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111325610.5，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權半導體器件及其制作方法是由張珍珍;劉隆冬;李明;周穎設計研發完成，并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種半導體器件的制作方法，包括以下步驟：提供半導體結構，半導體結構包括由第一材料層和第二材料層交替堆疊的堆疊結構，堆疊結構包括平臺區和與平臺區相鄰的臺階區，平臺區和臺階區的頂部為第二材料層；形成覆蓋平臺區上表面和臺階區表面的第三材料層；形成填充臺階區且覆蓋平臺區的第四材料層；去除平臺區上的第三材料層和第四材料層，且保留位于平臺區上靠近臺階區的邊緣的第三材料層和第四材料層；進行第一次平坦化，第一次平坦化去除凸起的第四材料層，且停留在平臺區上表面的第二材料層和第三材料層。該制作方法增大了接觸孔的連接窗口，有效避免了平臺區邊緣處的過磨。
本發明授權半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器的形成方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供一襯底，所述襯底表面具有第一堆疊結構、以及覆蓋于所述第一堆疊結構表面的連接層； 形成貫穿所述連接層的開口和貫穿所述第一堆疊結構的第一溝道孔，所述開口與所述第一溝道孔連通； 采用干法刻蝕工藝刻蝕且僅刻蝕所述連接層，以擴大所述開口的特征尺寸，使得擴大后的所述開口的底部的特征尺寸大于所述第一溝道孔的頂部的特征尺寸；所述干法刻蝕工藝至少包括采用不同射頻功率的第一階段干法刻蝕和第二階段干法刻蝕； 形成填充層于所述開口內和空的所述第一溝道孔內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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