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龍圖騰網(wǎng)獲悉珠海邁巨微電子有限責(zé)任公司申請的專利電流檢測裝置、半導(dǎo)體芯片、電池管理系統(tǒng)及用電設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113675922B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110947958.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02J7/00；該發(fā)明授權(quán)電流檢測裝置、半導(dǎo)體芯片、電池管理系統(tǒng)及用電設(shè)備是由請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-08-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本電流檢測裝置、半導(dǎo)體芯片、電池管理系統(tǒng)及用電設(shè)備在說明書摘要公布了：本公開提供了一種電流檢測裝置，包括：充電MOS晶體管，充電MOS晶體管的柵極用于接收充電控制信號以控制電池裝置的充電；至少一個充電電流檢測MOS晶體管，充電電流檢測MOS晶體管檢測電池裝置的充電電流，充電電流檢測MOS晶體管的漏極與充電MOS晶體管的漏極連接，充電電流檢測MOS晶體管的柵極用于接收充電檢測控制信號以對充電電流進(jìn)行檢測；校準(zhǔn)電流生成電路，校準(zhǔn)電流生成電路至少向充電MOS晶體管提供校準(zhǔn)電流；以及采樣校準(zhǔn)控制器。本公開還提供一種半導(dǎo)體芯片、電池管理系統(tǒng)及用電設(shè)備。

本發(fā)明授權(quán)電流檢測裝置、半導(dǎo)體芯片、電池管理系統(tǒng)及用電設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電流檢測裝置，其特征在于，包括： 充電MOS晶體管，所述充電MOS晶體管的柵極用于接收充電控制信號以控制電池裝置的充電； 至少一個充電電流檢測MOS晶體管，所述充電電流檢測MOS晶體管檢測所述電池裝置的充電電流，所述充電電流檢測MOS晶體管的漏極與所述充電MOS晶體管的漏極連接，所述充電電流檢測MOS晶體管的柵極用于接收充電檢測控制信號以對所述充電電流進(jìn)行檢測，所述充電電流檢測MOS晶體管的溝道寬長比與所述充電MOS晶體管的溝道寬長比的比值為1：M，其中M大于1； 校準(zhǔn)電流生成電路，所述校準(zhǔn)電流生成電路至少向所述充電MOS晶體管提供校準(zhǔn)電流，所述校準(zhǔn)電流生成電路包括基準(zhǔn)電壓裝置以及基準(zhǔn)電阻器，所述基準(zhǔn)電壓裝置提供基準(zhǔn)電壓，所述基準(zhǔn)電壓被施加到所述基準(zhǔn)電阻器以產(chǎn)生所述校準(zhǔn)電流；以及 采樣校準(zhǔn)控制器，所述采樣校準(zhǔn)控制器基于所述校準(zhǔn)電流以及比值1：M獲得所述充電電流檢測MOS晶體管的理想充電電流檢測值，且所述充電MOS晶體管被提供所述校準(zhǔn)電流時，所述采樣校準(zhǔn)控制器采集所述充電電流檢測MOS晶體管的測試充電電流檢測值，并基于所述理想充電電流檢測值與所述測試充電電流檢測值生成校準(zhǔn)參數(shù)，所述校準(zhǔn)參數(shù)為理想充電電流檢測值與測試充電電流檢測值的比值； 所述采樣校準(zhǔn)控制器包括采樣測量電路，所述采樣測量電路對所述充電電流檢測MOS晶體管檢測的檢測電流進(jìn)行采集。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人珠海邁巨微電子有限責(zé)任公司，其通訊地址為：519000 廣東省珠海市高新區(qū)唐家灣鎮(zhèn)金唐路1號港灣1號科創(chuàng)園24棟C區(qū)1層147室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。