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龍圖騰網(wǎng)獲悉美光科技公司申請(qǐng)的專利全局-局部讀取校準(zhǔn)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114496006B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111245357.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C7/12；該發(fā)明授權(quán)全局-局部讀取校準(zhǔn)是由V·莫斯基亞諾;W·迪·弗朗西斯可;K·K·姆奇爾拉;V·P·拉亞普魯;J·S·小麥克尼爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本全局-局部讀取校準(zhǔn)在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及全局?局部讀取校準(zhǔn)。一種用以校準(zhǔn)用于讀取存儲(chǔ)器單元群組的電壓的存儲(chǔ)器裝置。舉例來說，所述存儲(chǔ)器裝置通過在以第一電壓間隔彼此隔開的第一測(cè)試電壓下讀取存儲(chǔ)器單元群組來測(cè)量所述存儲(chǔ)器單元群組的第一信號(hào)和噪聲特性。基于所述第一信號(hào)和噪聲特性來確定所述存儲(chǔ)器單元群組的讀取電平的估計(jì)。所述存儲(chǔ)器裝置接著通過在以第二電壓間隔彼此隔開的第二測(cè)試電壓下讀取所述存儲(chǔ)器單元群組來測(cè)量所述存儲(chǔ)器單元群組的第二信號(hào)和噪聲特性，所述第二電壓間隔小于所述第一電壓間隔。根據(jù)所述第二信號(hào)和噪聲特性來計(jì)算所述讀取電平的優(yōu)化讀取電壓。

本發(fā)明授權(quán)全局-局部讀取校準(zhǔn)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲(chǔ)器裝置，其包括： 集成電路封裝，其包封所述存儲(chǔ)器裝置；以及 多個(gè)存儲(chǔ)器單元群組，其形成于至少一個(gè)集成電路管芯上； 其中響應(yīng)于識(shí)別所述多個(gè)群組內(nèi)的存儲(chǔ)器單元群組的命令，所述存儲(chǔ)器裝置配置成， 在以第一電壓間隔彼此隔開的第一測(cè)試電壓下測(cè)量所述存儲(chǔ)器單元群組的第一信號(hào)和噪聲特性； 基于所述第一信號(hào)和噪聲特性來確定所述存儲(chǔ)器單元群組的讀取電平的估計(jì)； 在以第二電壓間隔彼此隔開的第二測(cè)試電壓下測(cè)量所述存儲(chǔ)器單元群組的第二信號(hào)和噪聲特性，所述第二電壓間隔小于所述第一電壓間隔；以及 根據(jù)所述第二信號(hào)和噪聲特性來計(jì)算所述讀取電平的優(yōu)化讀取電壓。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人美光科技公司，其通訊地址為：美國愛達(dá)荷州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。