長江存儲科技有限責任公司胡思平獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141776B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111316238.1，技術領域涉及：H10B41/27；該發明授權半導體結構及其制備方法是由胡思平設計研發完成，并于2021-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體結構及其制備方法，用于降低半導體結構的設計難度及制備成本。半導體結構包括多個半導體器件。半導體器件包括襯底和參考圖形。相鄰兩個半導體器件中，位于下層的為第一半導體器件，位于上層的為第二半導體器件。第二半導體器件的襯底中至少與第一半導體器件的參考圖形相對應的部分的透光率，小于或等于預設透光率。預設透光率為在從第二半導體器件遠離第一半導體器件一側無法識別第一半導體器件的參考圖形的情況下，第二半導體器件的襯底中與第一半導體器件的參考圖形相對應的部分的最大透光率。第二半導體器件的參考圖形和第一半導體器件的參考圖形的正投影至少部分重合。上述半導體結構用于實現數據的讀取和寫入操作。
本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括自下而上依次堆疊的多個半導體器件； 所述半導體器件包括：襯底，及位于所述襯底上的膜層和參考圖形； 相鄰兩個半導體器件中，位于下層的為第一半導體器件，位于上層的為第二半導體器件； 所述第二半導體器件的襯底中至少與所述第一半導體器件的參考圖形相對應的部分的透光率，小于或等于預設透光率；所述預設透光率為在從所述第二半導體器件遠離所述第一半導體器件一側無法識別所述第一半導體器件的參考圖形的情況下，所述第二半導體器件的襯底中與所述第一半導體器件的參考圖形相對應的部分的最大透光率； 所述第二半導體器件的參考圖形和所述第一半導體器件的參考圖形，在所述第一半導體器件的襯底上的正投影至少部分重合。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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