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龍圖騰網獲悉天水華天科技股份有限公司申請的專利一種雙基島單個異形散熱片外露引線框架獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114023717B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111398290.6，技術領域涉及：H01L23/495；該發明授權一種雙基島單個異形散熱片外露引線框架是由孫亞麗;崔衛兵;鄧旭東;張進兵;張易勒設計研發完成，并于2021-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙基島單個異形散熱片外露引線框架在說明書摘要公布了：本發明屬于微電子組裝與封裝技術領域，公開了一種雙基島單個異形散熱片外露引線框架。包括引線框架本體和引線框架結構，其中引線框架本體為矩形結構，設置于所述引線框架本體上，包含若干列引線框架組，每列引線框架組包含若干個引線框架結構最小單元，若干個引線框架結構最小單元豎直分布，自上而下依次設置。此外本發明還包括兩個基島和三種引腳，并通過引線框架基島的不同下沉深度設計，保證了IC芯片與MOS芯片合封時，有效的實現了只需要大功率MOS芯片的外露散熱，保證產品高散熱需求。同時IC芯片為全包封結構，在塑封時可以保證上下模流平衡，防止沖線，阻止塑封體內部沙眼氣孔等質量問題，有效實現了IC芯片基島不外露來保障產品可靠性。

本發明授權一種雙基島單個異形散熱片外露引線框架在權利要求書中公布了：1.一種雙基島單個異形散熱片外露引線框架，其特征在于，包括：引線框架本體（1）和引線框架結構； 所述引線框架本體（1）為矩形結構； 所述引線框架結構設置于所述引線框架本體（1）上，包含若干引線框架組； 每個引線框架組包含若干個引線框架結構最小單元，所述引線框架組之間設置有第一應力釋放槽（4）和主流道長孔（5）； 所述第一應力釋放槽（4）分布于引線框架組右側； 所述主流道長孔（5）設置于所述第一應力釋放槽（4）右側； 所述引線框架結構最小單元上包括兩個基島和三種引腳； 所述兩個基島包括小基島（13）和大基島（15），其中: 所述小基島（13）位于所述引線框架結構最小單元左側； 所述大基島（15）設置于所述引線框架結構最小單元中部，位于所述小基島（13）的下方； 所述三種引腳包括L形引腳（A1）、T形引腳、外引腳（10），其中： 所述L形引腳（A1）設置于所述大基島（15）的下方； 所述T形引腳數量為6個，其中第一T形引腳（A2）設置于所述大基島（15）的下方，第二T形引腳（A5）、第三T形引腳（A6）、第四T形引腳（A7）、第五T形引腳（A8）和第六T形引腳（A9）設置于所述小基島（13）的上方；且 所述第一T形引腳（A2）上設置有鎖膠孔； 所述L形引腳（A1）上設置有另一鎖膠孔； 所述外引腳（10）包括第一普通形引腳（A3）、第二普通形引腳（A4）和第三普通形引腳（A10），其中： 所述第一普通形引腳（A3）與所述大基島（15）相連； 所述第二普通形引腳（A4）設置于所述小基島（13）的上方，與所述小基島（13）的一邊相連； 所述第三普通形引腳（A10）設置于所述小基島（13）的上方，與所述小基島（13）的另一邊相連； 所述大基島（15）上設置有L形半蝕刻槽（D1），所述L形半蝕刻槽（D1）不能貫穿于所述大基島（15）； 所述小基島（13）面積小于所述大基島（15）面積，所述小基島（13）下沉深度小于所述大基島（15）下沉深度。

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