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龍圖騰網獲悉上海至純潔凈系統科技股份有限公司;至微半導體(上海)有限公司申請的專利一種用于氮化硅選擇性蝕刻的清洗蝕刻系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114420596B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111651889.6，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權一種用于氮化硅選擇性蝕刻的清洗蝕刻系統是由劉大威;鄧信甫;楊嘉斌;林忠寶設計研發完成，并于2021-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于氮化硅選擇性蝕刻的清洗蝕刻系統在說明書摘要公布了：本發明提供一種用于氮化硅選擇性蝕刻的清洗蝕刻系統，涉及半導體技術領域，包括：清洗模組；高溫溶液供應模塊；高溫溶液回收模塊；多個常溫溶液供應模塊，每個常溫溶液供應模塊包括供應單元和回收單元；總控模塊控制高溫溶液供應模塊向清洗模組提供沸騰的磷酸水溶液對晶圓進行蝕刻，以及控制補水模塊向高溫溶液供應模塊輸送超純水；控制高溫溶液回收模塊由清洗模塊回收磷酸水溶液，并將磷酸水溶液進行過濾后輸送回高溫溶液供應模塊；控制供應單元向清洗模塊提供常溫的清洗溶液對晶圓進行清洗，以及控制回收單元由清洗模塊回收清洗溶液并輸送回供應單元。有益效果是有效滿足氮化硅選擇性蝕刻的需求，保證清洗蝕刻過程中的安全性且有效節約成本。

本發明授權一種用于氮化硅選擇性蝕刻的清洗蝕刻系統在權利要求書中公布了：1.一種用于氮化硅選擇性蝕刻的清洗蝕刻系統，其特征在于，包括： 清洗模組，用于為一晶圓的清洗蝕刻提供一處理腔室； 高溫溶液供應模塊，分別連接所述清洗模組和一補水模塊； 高溫溶液回收模塊，分別連接所述清洗模組和所述高溫溶液供應模塊； 多個常溫溶液供應模塊，分別連接所述清洗模組，每個所述常溫溶液供應模塊分別包括一供應單元和一回收單元； 總控模塊，分別連接所述高溫溶液供應模塊、所述補水模塊、所述高溫溶液回收模塊和各所述常溫溶液供應模塊，所述總控模塊包括： 第一控制單元，用于控制所述高溫溶液供應模塊向所述清洗模組提供沸騰的磷酸水溶液對所述晶圓進行蝕刻，以及控制所述補水模塊向所述高溫溶液供應模塊輸送超純水； 第二控制單元，用于控制所述高溫溶液回收模塊由所述清洗模組回收所述磷酸水溶液，并將所述磷酸水溶液進行過濾后輸送回所述高溫溶液供應模塊； 第三控制單元，用于控制所述供應單元向所述清洗模組提供常溫的清洗溶液對所述晶圓進行清洗，以及控制所述回收單元由所述清洗模組回收所述清洗溶液并輸送回所述供應單元； 所述清洗模組包括： 承載平臺，設置于所述處理腔室的下部； 兩蝕刻通道，對稱設置于所述處理腔室的內壁且位于所述承載平臺的兩側； 兩清洗通道，對稱設置于所述處理腔室的內壁且位于所述承載平臺的兩側，所述清洗通道對應設置于所述蝕刻通道的下方； 所述總控模塊還包括一第四控制單元，用于控制所述承載平臺驅動所述晶圓在進行蝕刻時懸浮于所述承載平臺的上方并位于兩所述蝕刻通道所在的平面，以及驅動所述晶圓在進行清洗時懸浮于所述承載平臺的上方并位于兩所述清洗通道所在的平面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海至純潔凈系統科技股份有限公司;至微半導體(上海)有限公司，其通訊地址為：200241 上海市閔行區紫海路170號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。