通富微電子股份有限公司陶玉娟獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉通富微電子股份有限公司申請的專利扇出型封裝方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114464541B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111671780.9,技術領域涉及:H01L21/50;該發明授權扇出型封裝方法是由陶玉娟;姜艷設計研發完成,并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本扇出型封裝方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種扇出型封裝方法,該方法包括:在載板的第一表面設置第一芯片;其中,所述第一芯片包括相背設置的功能面和非功能面,且所述第一芯片的功能面背離所述第一表面;在所述第一芯片的側面外圍形成環形圍壩;至少使所述環形圍壩和所述第一芯片固定連接;去除所述載板,并在所述第一芯片的非功能面一側設置第一散熱片。通過上述方式,本申請能夠降低芯片翹曲的概率并提高扇出型器件的散熱效果。
本發明授權扇出型封裝方法在權利要求書中公布了:1.一種扇出型封裝方法,其特征在于,包括: 在載板的第一表面設置第一芯片;其中,所述第一芯片包括相背設置的功能面和非功能面,且所述第一芯片的功能面背離所述第一表面; 在所述第一芯片的側面外圍形成環形圍壩;至少使所述環形圍壩和所述第一芯片固定連接; 去除所述載板,并在所述第一芯片的非功能面一側設置第一散熱片; 所述至少使所述環形圍壩和所述第一芯片固定連接,包括:在所述第一芯片的側面外圍以及所述環形圍壩的側面外圍形成膠層;其中,所述膠層為絕緣膠;或者,所述膠層具有導電性; 其中,所述在所述第一芯片的側面外圍形成環形圍壩的步驟之前,包括:同時形成多個導電柱和多個導電凸點;其中,所述多個導電柱位于所述第一芯片的側面外圍,所述多個導電凸點位于所述第一芯片的功能面上;具體而言,在所述載板設置有所述第一芯片一側設置光刻膠層,對所述光刻膠層進行曝光顯影以生成多個過孔,在所述過孔內填充導電金屬以生成所述導電柱和所述導電凸點; 其中,所述在載板的第一表面設置第一芯片的步驟,包括:使所述第一芯片的非功能面朝向所述載板,且所述第一芯片的非功能面與所述載板之間設置有第二散熱片; 其中,所述導電柱位于所述膠層的外圍,所述去除所述載板,并在所述第一芯片的非功能面一側設置第一散熱片的步驟,包括:使所述載板設置有所述第一芯片一側朝向導電基板,并使所述導電柱和所述導電凸點與所述導電基板電連接;去除所述載板;在所述第一芯片的非功能面設置所述第一散熱片,且所述導電柱從所述第一散熱片中露出; 其中,所述第一散熱片包括底板以及自所述底板延伸的多個側板;其中,所述底板在所述導電基板上的正投影覆蓋所述第一芯片和所述環形圍壩,所述側板穿設在所述環形圍壩和所述導電柱之間的間隙并與所述導電基板接觸。
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