西安電子科技大學廣州研究院李祥東獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學廣州研究院申請的專利基于硅鈍化的p-GaN柵增強型MIS-HEMT器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114784103B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210233913.2，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權基于硅鈍化的p-GaN柵增強型MIS-HEMT器件及其制備方法是由李祥東;王萌;袁嘉惠;張進成;郝躍設計研發完成，并于2022-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于硅鈍化的p-GaN柵增強型MIS-HEMT器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于硅鈍化的p?GaN柵增強型MIS?HEMT器件及其制備方法，所述器件包括自下而上依次設置的襯底層、成核層、緩沖層、溝道層和勢壘層，所述勢壘層的兩側分別開設有隔離區，所述隔離區自所述勢壘層的上表面延伸至所述緩沖層的上表面；所述勢壘層的上表面的中間位置自下而上依次設置有帽層、鈍化層、氧化層和柵電極，所述勢壘層的上表面兩側分別設置有源電極和漏電極。本發明通過在帽層上淀積鈍化層，能夠隔離氧化層與勢壘層，大幅度鈍化p?GaN材料的表面態和缺陷，有效提升p?GaN柵極耐壓性，改善器件的閾值電壓漂移，增大輸出電流，減小柵極泄漏電流。
本發明授權基于硅鈍化的p-GaN柵增強型MIS-HEMT器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于硅鈍化的p-GaN柵增強型MIS-HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次設置的襯底層1、成核層2、緩沖層3、溝道層4和勢壘層5，所述勢壘層5的兩側分別開設有隔離區7，所述隔離區7自所述勢壘層5的上表面延伸至所述緩沖層3的上表面； 所述勢壘層5的上表面的中間位置自下而上依次設置有帽層6、鈍化層8、氧化層9和柵電極10，所述勢壘層5的上表面兩側分別設置有源電極11和漏電極12，其中，所述鈍化層8為厚度1～5nm的Si鈍化層，所述氧化層9為厚度0.5～2nm的SiO2氧化層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學廣州研究院，其通訊地址為：510555 廣東省廣州市黃埔區中新知識城海絲中心B5、B6、B7棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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