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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)申請的專利抗單粒子翻轉(zhuǎn)的低功耗SRAM存儲單元電路及存儲器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114708894B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210301952.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/412；該發(fā)明授權(quán)抗單粒子翻轉(zhuǎn)的低功耗SRAM存儲單元電路及存儲器是由秦家軍;常澤光;趙雷;安琪設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-03-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本抗單粒子翻轉(zhuǎn)的低功耗SRAM存儲單元電路及存儲器在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種抗單粒子翻轉(zhuǎn)的低功耗SRAM存儲單元電路及存儲器，電路包括：其中，七個NMOS管和四個PMOS管，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管組成施密特觸發(fā)器；第四PMOS管和第四NMOS管組成一個反相器；施密特觸發(fā)器輸出端連到反向器輸入端，反向器輸出端連到施密特觸發(fā)器輸入端；構(gòu)成施密特觸發(fā)器的第三PMOS管MP3管的漏極和第三NMOS管管的源極連到反向器輸出端。這種存儲單元電路使得作為第一存儲節(jié)點(diǎn)Q的第二PMOS管的漏極與第二存儲節(jié)點(diǎn)Qb的第四PMOS管的漏極為互鎖的節(jié)點(diǎn)，提升了對抗單粒子翻轉(zhuǎn)的性能，且電路結(jié)構(gòu)相對簡單，功耗較低，也便于制造。

本發(fā)明授權(quán)抗單粒子翻轉(zhuǎn)的低功耗SRAM存儲單元電路及存儲器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種抗單粒子翻轉(zhuǎn)的低功耗SRAM存儲單元電路，其特征在于，包括： 七個NMOS管和四個PMOS管；其中， 第一NMOS管MN1的柵極、第一PMOS管MP1的柵極、第七NMOS管MN7的源極和第五NMOS管MN5的源極電性連接； 第二NMOS管MN2的柵極、第二PMOS管MP2的柵極、第四NMOS管MN4的漏極、第四PMOS管MP4的漏極、第三NMOS管MN3的源極、第三PMOS管MP3的源極和第七NMOS管MN7的漏極電性連接； 第一NMOS管MN1的漏極、第二NMOS管MN2的源極和第三NMOS管MN3的漏極電性連接； 第一PMOS管MP1的漏極、第二PMOS管MP2的源極和第三PMOS管MP3的漏極電性連接； 第二NMOS管MN2的漏極、第二PMOS管MP2的漏極、第三NMOS管MN3的柵極、第三PMOS管MP3的柵極、第四NMOS管MN4的柵極、第四PMOS管MP4的柵極和第六NMOS管MN6的源極電性連接； 所述第五NMOS管MN5的柵極與第六NMOS管MN6的柵極均與字線WL電性連接； 所述第七NMOS管MN7的柵極與寫控制線CL電性連接； 所述第五NMOS管MN5的漏極與第一位線BLB電性連接； 所述第六NMOS管MN6的漏極與第二位線BL電性連接； 所述第一NMOS管MN1的源極、第四NMOS管MN4的源極和所有NMOS管的體端均接地GND； 所述第一PMOS管MP1的源極、第四PMOS管MP4的源極和所有PMOS管的體端均連接電源VDD。

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