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龍圖騰網獲悉西北師范大學申請的專利一種銅錫硫（CTS）憶阻器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114759140B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210386240.4，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種銅錫硫（CTS）憶阻器及其制備方法是由李燕;董小飛;李思源;孫浩;趙雲;陳江濤設計研發完成，并于2022-04-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種銅錫硫（CTS）憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種銅錫硫CTS憶阻器及其制備方法，由上至下包括：Al上電極，CTS?PMMA阻變層，FTO下電極。通過傳統水熱法制備得到了CTS納米顆粒，首次將CTS與PMMA復合并應用到憶阻器領域。實驗結果發現，通過將CTS與PMMA混合，得到了阻變性能好，穩定性強的憶阻器件，而且控制阻變薄膜的厚度可以優化阻變性能。該憶阻器件具有結構簡單、易制備、成本低、重復性好的優點，可為研發基于硫屬化合物的憶阻器及其應用提供新思路。

本發明授權一種銅錫硫（CTS）憶阻器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種銅錫硫憶阻器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1：制備銅錫硫前驅液：將銅源、錫源和硫源溶于有機溶劑中，攪拌，獲得銅錫硫前驅液； 步驟2：制備銅錫硫粉末：將步驟1制得的銅錫硫前驅液倒入水熱反應釜并置于水熱箱中進行水熱反應，反應結束后，自然冷卻，倒去上清液，將剩余混合物離心洗滌，干燥后得到黑色粉末，將所述黑色粉末研磨得到銅錫硫納米顆粒； 步驟3：制備聚甲基丙烯酸甲酯溶液：將聚甲基丙烯酸甲酯顆粒溶于有機溶劑中，獲得聚甲基丙烯酸甲酯溶液； 步驟4：制備銅錫硫和聚甲基丙烯酸甲酯復合溶液：將步驟2中制得的銅錫硫納米顆粒加入步驟3制得的聚甲基丙烯酸甲酯溶液中，室溫攪拌，獲得銅錫硫和聚甲基丙烯酸甲酯復合溶液； 步驟5：清洗FTO導電玻璃基底； 步驟6：制備銅錫硫-聚甲基丙烯酸甲酯復合阻變膜：將步驟4制得的銅錫硫和聚甲基丙烯酸甲酯復合溶液，滴在步驟5清洗得到的FTO導電玻璃基底的導電面上，旋涂，室溫干燥，制得銅錫硫-聚甲基丙烯酸甲酯復合阻變膜，從而獲得銅錫硫-聚甲基丙烯酸甲酯復合阻變膜FTO結構；其中，所述FTO導電玻璃基底的導電面為背電極； 步驟7：組裝Al銅錫硫-聚甲基丙烯酸甲酯復合阻變膜FTO憶阻器件：在步驟6獲得的銅錫硫-聚甲基丙烯酸甲酯復合阻變膜FTO結構上進一步沉積上電極，其中，所述的上電極沉積在銅錫硫-聚甲基丙烯酸甲酯復合阻變膜上；所述上電極材質為Al。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西北師范大學，其通訊地址為：730070 甘肅省蘭州市安寧區安寧東路967號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。