南京文采工業智能研究院有限公司蔡小五獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南京文采工業智能研究院有限公司申請的專利一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114864571B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210392661.8，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構是由蔡小五;池敏設計研發完成，并于2022-04-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構在說明書摘要公布了：本發明涉及ESD保護電路技術領域，且公開了一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，包括輸入電路，所述輸入電路電性連接有保護電阻，所述保護電阻遠離輸入電路的一側電性連接有MOS集成電路管，所述MOS集成電路管的外壁均勻的固定連接有放電針。該硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，使用時散熱風扇吹出的風進入到進風口中，將負離子發生裝置產生的負離子均勻的吹到保護管的內部，此時這些負離子可以消除MOS集成電路管附近帶正電的粒子，從而達到了避免MOS集成電路產生靜電現象，當電路中出現靜電現象影響到MOS集成電路管時，此時經過放電針可以及時的消除電路中靜電，避免MOS集成電路受到靜電影響。
本發明授權一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構在權利要求書中公布了：1.一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，包括輸入電路（1），其特征在于：所述輸入電路（1）電性連接有保護電阻（2），所述保護電阻（2）遠離輸入電路（1）的一側電性連接有MOS集成電路管（3），所述MOS集成電路管（3）的外壁均勻的固定連接有放電針（4），所述MOS集成電路管（3）遠離保護電阻（2）的一側電性連接有輸出電路（5），所述MOS集成電路管（3）的外部套接有保護管（6），所述保護管（6）的外部固定連接有放電嘴（7），所述保護管（6）的頂部設有進風口（8），所述進風口（8）的內部安裝有負離子發生裝置（9），所述保護管（6）遠離進風口（8）的一側設有出風口（10）； 所述放電針（4）遠離MOS集成電路管（3）的一端逐漸變細； 所述保護管（6）的外壁接地； 所述放電嘴（7）罩在放電針（4）的外部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京文采工業智能研究院有限公司，其通訊地址為：210019 江蘇省南京市建鄴區嘉陵江東街18號3號樓16層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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