蘇州金宏氣體股份有限公司高如天獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州金宏氣體股份有限公司申請的專利一種基于氘氣等離子體轟擊工藝的頂柵底接觸器件及其制造方法和有機場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114744115B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210404902.6，技術領域涉及：H10K85/10；該發明授權一種基于氘氣等離子體轟擊工藝的頂柵底接觸器件及其制造方法和有機場效應晶體管是由高如天;孫猛設計研發完成，并于2022-04-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于氘氣等離子體轟擊工藝的頂柵底接觸器件及其制造方法和有機場效應晶體管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于氘氣等離子體轟擊工藝的頂柵底接觸器件結構，包括襯底、柵極層、絕緣層、半導體層、源漏電極；所述半導體層為有機聚合物旋涂于所述襯底和所述源漏電極表面，經氘氣產生等離子體轟擊工藝，將所述半導體層表面的聚合物鈍化處理轉化為絕緣層，使所述絕緣層和所述半導體層具有一體結構。采用了本發明的技術方案，無需重新選擇材料再單獨制備絕緣層，而是通過氘氣等離子體轟擊技術，形成的絕緣層表面能非常低，當在絕緣層上再次進行真空蒸鍍鋁形成柵極層時，柵極層能夠與絕緣層很好的結合，避免了脫落的技術問題。
本發明授權一種基于氘氣等離子體轟擊工藝的頂柵底接觸器件及其制造方法和有機場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.一種基于氘氣等離子體轟擊工藝的頂柵底接觸器件結構，其特征在于，包括襯底、柵極層、絕緣層、半導體層、源漏電極；所述半導體層為有機聚合物旋涂于所述襯底和所述源漏電極表面，經氘氣等離子體轟擊工藝，將所述半導體層表面的聚合物鈍化處理轉化為絕緣層，使所述絕緣層和所述半導體層具有一體結構； 所述有機聚合物的單體中含有碳碳雙鍵的基團，包括乙烯基、苯乙烯基、芳香族基團中的一種或多種，碳碳雙鍵形成共軛鏈結構； 所述有機聚合物的單體為結構式1：和或和或其中，R1、R2、R3、R4為氫或C1～C20的烷基或含有全氟取代基的C1～C20的烷基或含有硅氧鍵取代基的C1～C20烷基中的至少一種； 所述氘氣等離子體轟擊工藝是將所述半導體層表面能夠與氘氣等離子體接觸的有機聚合物轟擊后產生鈍化作用得到所述絕緣層；所述鈍化處理是指通過氘氣等離子體轟擊所述有機聚合物表面是氘氣等離子體與有機聚合物發生加成反應，使有機聚合物的不飽和碳碳雙鍵加成為氘代碳碳飽和鍵。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州金宏氣體股份有限公司，其通訊地址為：215152 江蘇省蘇州市相城區黃埭鎮潘陽工業園安民路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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