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龍圖騰網獲悉上海韋爾半導體股份有限公司申請的專利一種芯片封裝工藝及芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114944340B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210477158.2，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權一種芯片封裝工藝及芯片是由諸舜杰;張靜;嚴博;鐘添賓設計研發完成，并于2022-05-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種芯片封裝工藝及芯片在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種芯片封裝工藝及芯片，通過在裸芯的第二表面設置第一金屬層，將裸芯第一表面漏極通過第一孔和第二孔中的金屬引到裸芯的第二表面，以便將裸芯的第二表面的導電保護層焊接到PCB板上，使芯片的源極到PCB板距離比較近，導致芯片散熱很好，裸芯的第一表面通過第三塑封層塑封第二金屬層進行保護。

本發明授權一種芯片封裝工藝及芯片在權利要求書中公布了：1.一種芯片封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟： 步驟一，將裸芯第一表面通過第一連接件固定在第一支撐件上，所述裸芯第二表面設置有電極引出層； 步驟二，對所述裸芯第二表面進行第一次塑封形成第一塑封層，所述第一塑封層包覆裸芯第二表面的電極引出層； 步驟三，對所述第一塑封層減薄處理直到電極引出層漏出； 步驟四，在所述第一塑封層中從所述第二表面向第一表面方向打第一孔，并在所述第一孔中填充金屬； 步驟五，在所述第一塑封層的第一孔對應位置和電極引出層對應位置分別間隔設置第一金屬層； 步驟六，對所述裸芯第二表面進行第二次塑封形成第二塑封層，所述第二塑封層包覆所述第一金屬層； 步驟七，對所述第二塑封層減薄處理直到第一金屬層漏出； 步驟八，將所述第一金屬層遠離電極引出層的表面通過第二連接件設置第二支撐件上，并將所述裸芯第一表面的第一連接件和第一支撐件去除； 步驟九，在所述第一孔對應位置在所述第一塑封層中從第一表面向第二表面方向打第二孔直到所述第二孔和第一孔連通，并在所述第二孔中填充金屬； 步驟十，在所述第二孔對應位置和所述裸芯第一表面分別設置第二金屬層； 步驟十一，對所述裸芯第一表面進行第三次塑封形成第三塑封層，所述第三塑封層包覆所述第二金屬層； 步驟十二，去除所述第二支撐件，在所述第一金屬層上表面設置保護層； 在完成所述第一塑封層，第二塑封層和第三塑封層之后包括對所述第一塑封層，第二塑封層和第三塑封層進行高溫固化。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海韋爾半導體股份有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區自由貿易試驗區龍東大道3000號1幢C樓7層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。