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龍圖騰網獲悉西安北方華創微電子裝備有限公司;北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利一種半導體工藝設備的鍍膜控制方法和半導體工藝設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115129009B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210767463.5，技術領域涉及：G05B19/418；該發明授權一種半導體工藝設備的鍍膜控制方法和半導體工藝設備是由王昭輝;林源為設計研發完成，并于2022-07-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體工藝設備的鍍膜控制方法和半導體工藝設備在說明書摘要公布了：本發明實施例提供了一種半導體工藝設備的鍍膜控制方法和半導體工藝設備，該方法包括：獲取目標時間內的異常放電信息；對補償工藝時間增加與異常放電信息對應的增量；將已執行工藝時間加上目標時間與工藝設定時間進行比較，根據是否到達工藝補償階段和或異常放電信息是否滿足預設要求，繼續工藝階段，并執行下一個目標時間的工藝，或根據更新后的補償工藝時間更新工藝時間，進行補償工藝階段，執行下一個目標時間的工藝，或結束工藝。通過自動化的算法將異常放電對鍍膜的影響自動納入到整個工藝過程中，可以自動補償異常放電對鍍膜膜厚或品質影響，提高機臺的自動化水平，避免因異常放電而造成產能下降的問題，節約生產成本。

本發明授權一種半導體工藝設備的鍍膜控制方法和半導體工藝設備在權利要求書中公布了：1.一種半導體工藝設備的鍍膜控制方法，其特征在于，所述半導體工藝設備基于等離子體對晶圓進行鍍膜工藝，所述鍍膜工藝包括工藝階段和工藝補償階段，所述方法包括： 在按照工藝設定時間t進行所述工藝階段中，確定目標時間并執行所述目標時間的工藝； 獲取所述目標時間內的異常放電信息； 對補償工藝時間Q增加與所述目標時間內的所述異常放電信息對應的時間增量； 將已執行工藝時間P加上所述目標時間得出的預期工藝時間與所述工藝設定時間t進行比較，確定是否到達工藝補償階段；以及判斷所述異常放電信息是否滿足預設要求； 根據是否到達所述工藝補償階段和或所述異常放電信息是否滿足預設要求，判斷：繼續進行所述工藝階段，并執行下一個目標時間的工藝，或者，根據更新后的所述補償工藝時間Q更新所述工藝設定時間t，進行補償工藝階段，并執行下一個目標時間的工藝，或者，結束工藝； 所述獲取所述目標時間內的異常放電信息，包括： 獲取所述目標時間內的異常放電時間比率；所述異常放電時間比率為r’=nLt’，其中，n為在所述目標時間t’內所檢測到的異常放電次數，L為單次異常放電的單位時間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安北方華創微電子裝備有限公司;北京北方華創微電子裝備有限公司，其通訊地址為：710000 陜西省西安市高新區錦業一路11號國家服務外包示范基地D座4層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。