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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種半導體器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115692322B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211364834.1，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權一種半導體器件的制造方法是由李永亮;陳安瀾設計研發完成，并于2022-11-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件的制造方法，涉及半導體技術領域，以簡化CFET器件的制造流程，降低CFET器件的制造難度。所述半導體器件的制造方法包括：在半導體基底上依次形成隔離層和摻雜半導體層。摻雜半導體層各區域的摻雜類型和摻雜濃度均相同。重復上述操作，直至在半導體基底上形成至少一層第一疊層、以及位于至少一層第一疊層上的至少一層第二疊層。至少對至少一層第一疊層和至少一層第二疊層進行圖案化處理，以形成鰭狀結構。沿鰭狀結構的長度方向，至少對至少一層第二疊層的邊緣區域進行選擇性刻蝕，以使得每層摻雜半導體層的長度小于位于自身下方的另一摻雜半導體層的長度，并使得每層隔離層的長度小于位于自身下方的摻雜半導體層的長度。

本發明授權一種半導體器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 在半導體基底上依次形成隔離層和摻雜半導體層；所述摻雜半導體層各區域的摻雜類型和摻雜濃度均相同； 重復上述操作，直至在所述半導體基底上形成至少一層第一疊層、以及位于所述至少一層第一疊層上的至少一層第二疊層；沿所述半導體基底的厚度方向，每層所述第二疊層和每層所述第一疊層均包括所述隔離層、以及位于所述隔離層上的所述摻雜半導體層；所述第一疊層包括的摻雜半導體層和所述第二疊層包括的摻雜半導體層的摻雜類型相反； 至少對所述至少一層第一疊層和所述至少一層第二疊層進行圖案化處理，以在所述半導體基底上形成鰭狀結構； 沿所述鰭狀結構的長度方向，至少對所述至少一層第二疊層的邊緣區域進行選擇性刻蝕，以使得每層所述摻雜半導體層的長度小于位于自身下方的另一所述摻雜半導體層的長度，并使得每層所述隔離層的長度小于位于自身下方的所述摻雜半導體層的長度； 基于所述至少一層第一疊層制造第一無結型晶體管，并基于所述至少一層第二疊層制造第二無結型晶體管；所述隔離層的長度方向和所述摻雜半導體層的長度方向均平行于所述第一無結型晶體管和所述無結型晶體管包括的柵堆疊結構的長度方向。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。