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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種溝槽電容器的制造方法及溝槽電容器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115763423B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202211656039.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/522；該發(fā)明授權(quán)一種溝槽電容器的制造方法及溝槽電容器是由蔡巧明;林宏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-12-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種溝槽電容器的制造方法及溝槽電容器在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種溝槽電容器的制造方法及溝槽電容器，該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，形成位于半導(dǎo)體襯底中的金屬互連層；形成位于半導(dǎo)體襯底上的阻擋層和第一介質(zhì)層；刻蝕第一介質(zhì)層，形成溝槽陣列，溝槽陣列包括位于第一區(qū)域的電容溝槽和位于第二區(qū)域的電連接溝槽；在電容溝槽和電連接溝槽中形成第一導(dǎo)電層、第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層，去除第二區(qū)域表面的第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層以及電連接溝槽底部的第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層；沉積形成金屬線，以將電容溝槽的第二導(dǎo)電層通過(guò)金屬線及電連接溝槽的第一導(dǎo)電層與第二區(qū)域的金屬互連層連接，溝槽電容器的上電極、下電極通過(guò)金屬互連層引出。該方法用以降低工藝集成難度，提升溝槽電容器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)自由度。

本發(fā)明授權(quán)一種溝槽電容器的制造方法及溝槽電容器在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種溝槽電容器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半導(dǎo)體襯底，形成位于所述半導(dǎo)體襯底中的金屬互連層； 沉積形成位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層； 刻蝕所述第一介質(zhì)層，形成溝槽陣列，所述溝槽陣列包括位于第一區(qū)域的電容溝槽和位于第二區(qū)域的電連接溝槽，其中，所述電容溝槽和所述電連接溝槽的底部均暴露所述金屬互連層； 在所述電容溝槽和所述電連接溝槽中形成第一導(dǎo)電層、第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層，所述第二介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間，所述電容溝槽的第一導(dǎo)電層與所述第一區(qū)域的金屬互連層連接，所述電連接溝槽的第一導(dǎo)電層與所述第二區(qū)域的金屬互連層連接； 去除所述第二區(qū)域表面的第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層以及所述電連接溝槽底部的第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層； 沉積金屬并圖形化形成金屬線，所述金屬線覆蓋所述第一區(qū)域表面的所述第二導(dǎo)電層和所述第二區(qū)域表面的所述第一導(dǎo)電層，以將所述電容溝槽的第二導(dǎo)電層通過(guò)所述金屬線及所述電連接溝槽的第一導(dǎo)電層與所述第二區(qū)域的金屬互連層連接。

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