上海華虹宏力半導體制造有限公司徐興國獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利自動調控薄膜厚度及薄膜內元素摻雜濃度的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116190208B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310139200.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權自動調控薄膜厚度及薄膜內元素摻雜濃度的方法是由徐興國;姜波;張凌越;陳廣倫設計研發完成，并于2023-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本自動調控薄膜厚度及薄膜內元素摻雜濃度的方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種自動調控薄膜厚度及薄膜內元素摻雜濃度的方法，應用于半導體工藝領域中。具體的，其先利用本發明所提供的計算公式，計算出在某次爐管反應之前所執行的至少一批次作業所殘留的反應氣體總量，即，爐管反應腔中當前實際所存在的反應氣體殘留量，然后再根據該實際情況，設計設置本次工藝需要的工藝補償參數，進而在爐管的反應腔中形成目標薄膜或膜層的同時，自動消除爐管反應腔中的殘留反應氣體對本次工藝中形成的薄膜厚度及薄膜內元素摻雜濃度所產生的影響。
本發明授權自動調控薄膜厚度及薄膜內元素摻雜濃度的方法在權利要求書中公布了：1.一種反應腔內反應氣體殘留量的確定方法，其特征在于，適用于半導體常壓氧化爐管工藝或低壓化學沉積爐管工藝，所述確定方法至少包括如下步驟： 針對爐管執行的每個工藝菜單的作業，確定所述執行的每個工藝菜單的作業后所產生的反應氣體初始殘留量，并基于預設的特氣殘留當量計算公式，計算出所述執行的每個工藝菜單作業所殘留的反應氣體在后續第n個作業批次執行前的殘留量； 將所述爐管中先前所執行的前n個批次作業所產生的反應氣體的殘留量進行累加，以得到所述爐管反應腔中的反應氣體總殘留量； 其中，所述用于計算爐管執行的每個工藝菜單的作業所殘留的反應氣體在后續第n個批次作業執行前的反應氣體殘留量的預設特氣殘留當量計算公式為： Qn＝Qi*Min-1 其中，Qn為每個工藝菜單執行作業所殘留的反應氣體在后續第n個作業批次執行前的殘留量，Qi為每個工藝菜單執行作業所產生的反應氣體初始殘留量；M為該工藝菜單在后續每個批次作業后反應氣體的殘留系數；所述M的取值范圍為：0M≤1，所述n的取值范圍：1﹤n﹤10000。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號