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龍圖騰網獲悉東南大學申請的專利制備高質量半導體電極接觸的設備及其金屬原子沉積方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116377391B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310424226.3，技術領域涉及：C23C14/22；該發明授權制備高質量半導體電極接觸的設備及其金屬原子沉積方法是由萬能;陳若望;田明;王明淵;束俊鵬;施輝;譚淋豐設計研發完成，并于2023-04-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本制備高質量半導體電極接觸的設備及其金屬原子沉積方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種制備高質量半導體電極接觸的設備及其金屬原子沉積方法，所述的半導體電極接觸的設備包括在真空腔體7中的控溫單元3、熱界面黏附層4、襯底5、沉積源6、進氣口1、出氣口2；將氬氣通過進氣口管道引入真空腔體中，氬氣流動經過襯底位置，從出氣口排出；控溫單元控制襯底溫度在更低的溫度區間，利用氬氣分子緩沖降低金屬原子沉積至樣品前的動能，控溫單元使襯底附近氬氣分子和沉積金屬原子迅速降溫，從而達到金屬原子在半導體材料晶格上軟著陸，本發明具有較低的樣品溫度，使得沉積的金屬顆粒過冷細化，更易沉積形成平整的金屬薄膜，獲得堆疊更緊密的金屬?半導體界面。

本發明授權制備高質量半導體電極接觸的設備及其金屬原子沉積方法在權利要求書中公布了：1.一種制備高質量半導體電極接觸的設備，其特征在于，所述的半導體電極接觸的設備，在真空腔體（7）中的下部設有控溫單元（3），在控溫單元（3）上面設有熱界面黏附層（4），在熱界面黏附層（4）上面設有襯底（5），在真空腔體（7）中的上部設有沉積源（6），在真空腔體（7）中部的一側設有進氣口（1），在真空腔體（7）中部的另一側設有出氣口（2）； 所述的真空腔體（7）中部的襯底（5）上方設有表面冷卻裝置（31）；所述的表面冷卻裝置（31）包括致冷部分（311），冷卻劑引入管道（312），蒸發粒子的通道（313），其中，致冷部分（311）為格柵狀，其一端接有冷卻劑引入管道（312），格柵之間為蒸發粒子的通道（313）； 所述的控溫單元（3）包括溫控臺（32），液氮循環管進口（321），液氮循環管出口（322），在77-500K溫度范圍內設定溫度，通過控制加熱功率自動調節至設定溫度； 所述的熱界面黏附層（4）由高導熱、低熱膨脹系數、熱穩定性良好材料制成； 所述的襯底（5）為具體樣品，大小由實際需求和熱界面黏附層大小確定；所述的沉積源（6）是預沉積的金屬材料； 所述的真空腔體（7）由不銹鋼或者石英玻璃制成，一側是進氣口，另一側是出氣口，出氣口位置略高于襯底，進氣口位置高于出氣口。

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