內蒙古鑫華半導體科技有限公司李明峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉內蒙古鑫華半導體科技有限公司申請的專利一種區熔用多晶硅原料聯合母料生產工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117509648B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311653785.8，技術領域涉及：C01B33/03；該發明授權一種區熔用多晶硅原料聯合母料生產工藝是由李明峰;吳鵬;高國翔;王海豹;姜浩設計研發完成，并于2023-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種區熔用多晶硅原料聯合母料生產工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及多晶硅生產技術領域，尤其涉及一種區熔用多晶硅原料聯合母料生產工藝，包括以下步驟：內環電極安裝母料硅芯，中環電極和外環電極安裝區熔硅芯；母料硅芯與區熔硅芯接通相電流，并通氫氣與三氯氫硅的混合氣體；硅芯母料生長到預設直徑，內環電極通電斷開；區熔硅芯繼續通電，區熔用多晶硅原料生長到預設直徑，中環電極與外環電極通電斷開；拆卸還原爐，拆卸硅芯母料與區熔用多晶硅原料。本發明中，硅芯母料與區熔用多晶硅原料聯合生產，節省生產成本；斷開內環電流，進料氣體循環流動更加強勁有力，原料生長氣場更加均勻；硅芯母料停止生長后，反應氣氛溫度降低，避免產生霧化現象，原料生長溫場更加均勻，改善區熔用多晶硅原料的品質。
本發明授權一種區熔用多晶硅原料聯合母料生產工藝在權利要求書中公布了：1.一種區熔用多晶硅原料聯合母料生產工藝，其特征在于，包括以下步驟： 內環電極安裝若干母料硅芯，中環電極和外環電極安裝若干區熔硅芯； 母料硅芯與區熔硅芯接通不同相電流，并往還原爐通氫氣與三氯氫硅的混合氣體； 硅芯母料生長到預設直徑，DCS程序啟動，遠程控制降低氫氣與三氯氫硅混合氣體的配比，同時母料硅芯所通電流在規定時間降低到預設值，內環電極通電斷開； 區熔硅芯繼續通電，區熔用多晶硅原料生長到預設直徑，DSC程序啟動，遠程控制降低氫氣與三氯氫硅混合氣體的配比，同時區熔硅芯所通電流在規定時間內降低到預設值，中環電極與外環電極通電斷開； 拆卸還原爐，拆卸生長好的硅芯母料與區熔用多晶硅原料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人內蒙古鑫華半導體科技有限公司，其通訊地址為：010000 內蒙古自治區呼和浩特市賽罕區阿木爾南街19號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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